[发明专利]SiGe材料CMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711244583.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107946181A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/161 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sige 材料 cmos 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种SiGe材料CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：
S11、选取单晶Si衬底；
S12、制备Si1-xGex/Si虚衬底；
S13、在所述Si1-xGex/Si虚衬底表面生长P型Si1-xGex沟道层；
S14、分别制备NMOS和PMOS以完成所述CMOS器件的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S12包括：
S121、在所述Si衬底表面生长Si1-xGex外延层；
S122、在所述Si1-xGex外延层表面生长SiO2保护层；
S123、连续晶化包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料；
S124、刻蚀所述SiO2保护层以形成所述Si1-xGex/Si虚衬底材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，S121包括：
在400℃～500℃温度下，利用磁控溅射方法，以纯度为99.999％本征Si1-xGex为靶材料，在所述Si衬底表面生长所述Si1-xGex外延层；其中，所述Si1-xGex外延层的厚度为300～500nm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述Si1-xGex外延层中x取值范围为0.7～0.9。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S123包括：
S1231、将包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料加热至600℃～650℃；
S1232、连续激光照射包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料；所述激光照射参数为：激光波长为795nm，激光功率密度为2.85kW/cm2，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光移动速度为20mm/s；
S1233、自然冷却包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S13包括：
在500～600℃温度下，利用CVD工艺，在所述Si1-xGex/Si虚衬底表面生长所述P型Si1-xGex沟道层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述P型Si1-xGex沟道层的厚度为900～950nm，掺杂浓度为1×1016～5×1016cm-3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711244583.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
