[发明专利]一种阵列基板及其修复方法有效
申请号: | 201711226285.0 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107768387B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 洪光辉;龚强 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L23/525 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 修复 方法 | ||
本发明提供一种阵列基板及其修复方法,其中,阵列基板包括:相邻两级GOA单元电路,第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连,第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连;设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构,所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时,通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。本发明实施例的有益效果在于:通过在相邻两级栅线之间增设修复结构,在某级GOA单元电路出现损坏时,利用激光将修复结构熔融,使相邻两级栅线连通,由同一级GOA单元电路驱动,不会影响面板正常显示,由此实现GOA电路的修复功能。
技术领域
本发明涉及屏幕显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其修复方法。
背景技术
GOA(Gate Driver On Array,阵列基板行驱动)电路是实现面板逐行扫描的电路,现在面板常用的驱动电路包括CMOS GOA电路和NMOS GOA电路,CMOS GOA电路中包括NTFT器件和PTFT器件,而NMOS GOA电路中只包括NTFT器件。现在常用的GOA电路主要包括锁存(Latch)电路、与非(NAND)电路以及缓冲(Buffer)电路。如图1所示,为现有的4级GOA电路在面板上的连接关系示意图,同侧的GOA电路通过Qn信号的连接实现级联,每级GOA电路驱动一条栅极(Gate)线。如果由于制程或者其他外部因素造成GOA电路的NAND电路、Buffer电路损坏,本级GOA电路便无法正常工作,栅极无法打开,显示区(Active Area,AA)的这一行像素都将无法正常工作,而显示区的其他像素可以正常工作,此外栅极不能正常打开的这行像素也可能被其他信号线耦合,造成显示紊乱,从而影响整个面板的显示效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种阵列基板及其修复方法,避免GOA电路损坏对整个面板显示效果带来影响。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种阵列基板,包括:
相邻两级GOA单元电路,其中,第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连,第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连;
设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构,所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时,通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
其中,所述修复结构包括:
相互分离的第一金属块和第二金属块;
第三金属块;以及
位于所述第一金属块、所述第二金属块与所述第三金属块之间的层间介质;
其中,所述第一金属块与所述第N级栅线相连,所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连,所述第三金属块通过形成在所述层间介质中的连接孔与所述第一金属块相连,并且与所述第二金属块形成重叠结构,所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融,使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
其中,所述第N级GOA单元电路和所述第N+1级GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接处均设有熔断部,用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔断,使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
其中,所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构靠近所述第N+1级GOA单元电路设置。
其中,所述阵列基板还包括:
第N-1级GOA单元电路,其输出端与第N-1级栅线相连;以及
设置在所述第N级栅线与所述第N-1级栅线之间、靠近所述第N级GOA单元电路的所述修复结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的