[发明专利]一种阵列基板及其修复方法有效

专利信息
申请号: 201711226285.0 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN107768387B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 洪光辉;龚强 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L23/525
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 430000 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

相邻两级GOA单元电路,其中,第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连,第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连;

设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构,所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时,通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通;

所述修复结构包括:

相互分离的第一金属块和第二金属块;

第三金属块;以及

位于所述第一金属块、所述第二金属块与所述第三金属块之间的层间介质;

其中,所述第一金属块与所述第N级栅线相连,所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连,所述第三金属块通过形成在所述层间介质中的连接孔与所述第一金属块相连,并且与所述第二金属块形成重叠结构,所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融,使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第N级GOA单元电路和所述第N+1级GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接处均设有熔断部,用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔断,使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构靠近所述第N+1级GOA单元电路设置。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

第N-1级GOA单元电路,其输出端与第N-1级栅线相连;以及

设置在所述第N级栅线与所述第N-1级栅线之间、靠近所述第N级GOA单元电路的所述修复结构。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第N-1级GOA单元电路与本级栅线的连接处设有熔断部,用于在所述第N-1级GOA单元电路发生损坏时被熔断,使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属块、第二金属块与所述第N级栅线和所述第N+1级栅线连接的栅极位于同一层,所述第三金属块与数据线、源极和漏极位于同一层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属块与所述第二金属块的形状相同,在基板上的高度相等,所述第三金属块包括通过所述连接孔与所述第一金属块相连的第一连接部,与所述第二金属块形成重叠结构的第二连接部,以及连接所述第一连接部与所述第二连接部的第三连接部。

8.一种阵列基板的修复方法,所述阵列基板包括相邻两级GOA单元电路,第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连,第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连,其特征在于,所述修复方法包括:

在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间设置修复结构;

在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时,通过熔融所述修复结构,使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通,同时将损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断;

其中,所述设置修复结构具体包括:

形成相互分离的第一金属块和第二金属块,并将所述第一金属块与所述第N级栅线相连,所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连;

在所述第一金属块和所述第二金属块之上形成层间介质,并在层间介质中形成连接孔;

在所述层间介质之上形成第三金属块,并将所述第三金属块通过形成所述连接孔与所述第一金属块相连,与所述第二金属块形成重叠结构,所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融,使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。

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