[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201711128390.0 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108155171B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林家祺;李志成;田兴国;杨智勇 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 电介质层 内连接结构 第二侧壁 第一侧壁 第一表面 横向移位 凹穴系 凹穴 制造 | ||
1.一种半导体衬底，包括：
内连接结构；
第一电介质层，其围绕所述内连接结构，所述第一电介质层具有第一表面；及
第二电介质层，其置于所述第一电介质层上，所述第二电介质层具有第一侧壁和第二侧壁；
其中所述第二电介质层的所述第一侧壁、所述第二电介质层的所述第二侧壁及所述第一电介质的所述第一表面定义第一凹穴；
其中所述第二电介质层的所述第一侧壁从所述第二电介质层的所述第二侧壁横向移位；且
其中所述第一侧壁的宽度不同于所述第二侧壁的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述内连接结构的一部份位于定义所述第一凹穴的所述第一电介质层的所述第一表面上。
3.根据权利要求2所述的半导体衬底，其中所述第一电介质层的厚度大于位于所述第一电介层的所述第一表面上的所述内连接结构的所述部份的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述内连接结构的一部份位于定义所述第一凹穴的所述第一电介质层的所述第一表面下方，并且所述内连接结构的所述部份曝露于所述第一电介质层的所述第一表面的开口。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述内连接结构的一部份的顶表面以及所述第一电介质层的所述第一表面共平面。
6.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二电介质层进一步定义第二凹穴，所述第二凹穴是由所述第二电介质层的第三侧壁、所述第二电介质层的第四侧壁及所述第一电介质层的第二表面所定义，并且所述第一电介质层的所述第一表面和所述第一电介质层的所述第二表面垂直地彼此移位。
7.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二电介质层进一步定义第二凹穴，所述第二凹穴是由所述第二电介质层的第三侧壁、所述第二电介质层的第四侧壁及所述第一电介质层的第二表面所定义，并且所述第一电介质层的所述第一表面和所述第一电介质层的所述第二表面共平面。
8.根据权利要求1所述的半导体衬底，其进一步包括导电层，所述导电层置于所述第二电介质层的所述第一侧壁及所述第二侧壁上。
9.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第二电介质层进一步定义第二凹穴，所述第二凹穴是由所述第二电介质层的第三侧壁及第四侧壁所定义，并且所述第一凹穴的开口相对于所述第二凹穴的开口，并且所述第三侧壁从所述第四侧壁横向移位。
10.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一凹穴经定尺寸以容纳至少一电子组件。
11.一种衬底，其包括：
内连接结构；
第一电介质层，其围绕所述内连接结构，所述第一电介质层具有第一表面；及
第二电介质层，其置于所述第一电介质层上，所述第二电介质层具有第一侧壁及第二侧壁；
其中所述第二电介质层的所述第一侧壁定义第一凹穴，所述第二电介质层的所述第二侧壁及所述第一电介质层的所述第一表面定义所述第一凹穴下方的第二凹穴，所述第一凹穴和所述第二凹穴暴露所述内连接结构的一部份，并且所述第一凹穴的宽度不同于所述第二凹穴的宽度。
12.根据权利要求11所述的衬底，其中定义所述第一凹穴的所述第一侧壁与定义所述第二凹穴的所述第二侧壁是不连续的。
13.根据权利要求11所述的衬底，其中所述内连接结构的所述部份在所述第一电介质层的所述第一表面上。
14.根据权利要求13所述的衬底，其中所述第二电介质层的厚度大于所述第二凹穴的深度。
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