[发明专利]阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及阵列基板技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(back light module)。液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成。其中，阵列基板的薄膜晶体管性能直接影响到液晶显示面板的显示质量。

采用铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)半导体的薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，从而可以降低液晶显示面板的功耗和成本，同时分辨率可以达到全高清(full HD)乃至超高清(Ultra Definition，分辨率4k*2k)级别程度，因此受到了广泛的重视和应用。然而，由于铟镓锌氧化物半导体对大部分酸性刻蚀液都比较敏感，很容易在湿法刻蚀过程中被腐蚀，从而导致器件性能不佳。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板的制作方法，通过所述阵列基板的制作方法所形成的阵列基板的器件性能良好。

为了实现上述目的，本发明实施方式采用如下技术方案：

提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成栅极；

在所述基板的朝向所述栅极的一侧形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层的远离所述栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；

通过第一黄光制程图案化所述铟镓锌氧化物层和所述铟镓锌锡氧化物层，以形成保护层和有源层，所述保护层覆盖所述有源层；

在所述保护层的远离所述有源层的一侧沉积金属层；以及

通过第二黄光制程图案化所述金属层和所述保护层，以形成源极、漏极以及隔离区，所述源极和所述漏极彼此间隔且分别连接于所述有源层的两端，所述隔离区形成在所述保护层上且位于所述源极与所述漏极之间。

其中，所述保护层还包括间隔设置的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述源极与所述有源层之间，所述第二部分位于所述漏极与所述有源层之间。

其中，所述阵列基板的制作方法还包括：对所述铟镓锌氧化物层进行导体化处理，以使所述第一部分和所述第二部分形成欧姆接触层。

其中，所述导体化处理的方式为等离子体处理方式、离子注入处理方式、紫外光照射处理方式或微波处理方式。

其中，所述欧姆接触层的厚度小于等于500埃。

其中，所述有源层的厚度大于等于400埃且小于等于1000埃。

其中，所述第二黄光制程包括：

通过光刻工艺在所述金属层远离所述保护层的一侧形成光阻，所述光阻包括间隔设置的第一区域和第二区域，至少部分所述保护层位于所述第一区域与所述第二区域之间。

其中，所述第二黄光制程还包括：

通过湿刻蚀工艺去除所述金属层和所述保护层的未被所述光阻覆盖的部分，以形成源极、漏极以及隔离区。

其中，所述湿刻蚀工艺的过刻量大于20％。

其中，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述源极的远离所述栅极绝缘层的一侧形成钝化层，所述钝化层同时覆盖所述源极、所述漏极以及所述有源层，所述钝化层具有通孔，所述通孔用以暴露出部分所述漏极；和

在形成在所述钝化层的远离所述源极的一侧形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔连接至所述漏极。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：

由于所述阵列基板的制作方法形成有覆盖所述有源层的所述保护层，所述保护层能够防止所述金属层在沉积时对所述有源层造成损伤，因此所述阵列基板的制作方法能够提高其所形成的薄膜晶体管的器件特性，例如高迁移率、低功耗、低成本以及高分辨率等。

附图说明