[发明专利]一种基于PDMS振膜的MEMS静电执行器及制作方法在审
| 申请号： | 201710403984.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107215845A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;赵鸿滨;苑鹏;杨志民;杜军;徐瑶华 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;F04B43/04 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pdms mems 静电 执行 制作方法 | ||
1.一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)振膜的MEMS静电执行器，由复合振动薄膜层、下电极层和硅结构层组成，其特征在于，复合振动薄膜层由两层PDMS薄膜层中间夹一层导电薄膜层组成。
2.根据权利要求1所述MEMS静电执行器，其特征在于：所述的PDMS薄膜具有较好弹性，其厚度为100-300微米。
3.根据权利要求1所述MEMS静电执行器，其特征在于：所述复合振动薄膜层中的导电薄膜层为金属或导电氧化物、导电聚合物中的一种。
4.根据权利要求1所述MEMS静电执行器，其特征在于：所述下电极层为非本征半导体的Si薄膜，其厚度为1-100微米。
5.根据权利要求1所述MEMS静电执行器，其特征在于：所述下电极层的上、下界面层分别为绝缘性的薄膜层，以保护下电极层在静电驱动工作时不形成漏电。
6.根据权利要求5所述MEMS静电执行器，其特征在于：所述绝缘性的薄膜层为氧化硅、氧化铝绝缘薄膜材料中的一种。
7.权利要求1所述的MEMS静电执行器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)PDMS薄膜的制备，PDMS按照交联剂与固化剂5:1～15:1的比例混合、固化；
(2)PDMS振膜图形化，采用UV软刻蚀或激光切割等方式对PDMS进行加工；
(3)PDMS膜沉积金属电极层；
(4)沉积绝缘薄膜以使金属电极层有效隔离；
(5)与下电极层通过有机物粘接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院，未经北京有色金属研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710403984.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
