[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，该非显示区域包括GOA区域，该GOA区域从下至上依次形成第一金属层、绝缘层、第二金属层和保护层；其中，第二金属层通过过孔与第一金属层连接，保护层覆盖第二金属层，用于保护GOA区域的电路免受腐蚀。本发明的阵列基板及其制作方法，第二金属层通过过孔与第一金属层直接连接，并在该第二金属层上形成保护层，避免了金属与框胶的直接接触，从而使得阵列基板上的GOA区域的电路免受腐蚀，提高面板的生产良率和使用性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的发展趋势势必为超窄边框、超低成本。为了实现这样的目的，已经有越来越多的面板厂引入了GOA(Gate driver On Array，阵列基板行驱动)技术，即直接将闸极驱动电路制作在阵列基板上。

但随着窄边框和高分辨率面板的发展，GOA区电路设计占用显示区两侧的面积越来越多，导致框胶可占用的面积不断缩减，最终不可避免的占到GOA区电路上。而GOA区电路由于信号的传递，会设计大量的过孔，对于面板下侧阵列基板而言，每一处过孔均有ITO处在最上层，用于连接不同层上的信号线，成盒后就会与框胶直接接触。而目前市面上的框胶材料，应用于面板后，在经过高温高湿的测试阶段，均会因吸水性或粘着性问题，导致框胶下GOA电路区的ITO出现腐蚀现象，最终造成面板出现显示异常等失效模式，影响面板的生产良率和使用性能。

故，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法，可以避免阵列基板上的GOA电路区的ITO出现腐蚀现象，提高面板的生产良率和使用性能。

本发明提供一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括GOA区域，所述GOA区域从下至上依次形成第一金属层、绝缘层、第二金属层和保护层；其中，

所述第二金属层通过过孔与所述第一金属层连接，所述保护层覆盖所述第二金属层，用于保护所述GOA区域的电路免受腐蚀。

在本发明的阵列基板中，所述第一金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层，所述第二金属层为源漏极金属层，所述保护层为钝化层。

在本发明的阵列基板中，在所述绝缘层和所述第二金属层之间还形成有源层。

在本发明的阵列基板中，所述过孔贯穿所述绝缘层。

在本发明的阵列基板中，所述第二金属层延伸至所述过孔，并与所述第一金属层连接。

在本发明的阵列基板中，所述保护层的厚度为1-2微米。

依据本发明的上述目的，还提供一种阵列基板的制作方法，其包括：

在基板的GOA区域上依次形成第一金属层、绝缘层；

在所述绝缘层形成过孔，所述过孔的底部为所述第一金属层；

在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层通过所述过孔与所述第一金属层连接；以及

在所述第二金属层上形成保护层，所述保护层覆盖所述第二金属层，用于保护所述GOA区域的电路免受腐蚀。

在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述绝缘层与所述第二金属层之间还形成有源层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第一金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层，所述第二金属层为源漏极极金属层，所述保护层为钝化层。