[发明专利]一种避免倒装芯片固晶漏电的方法在审

专利信息
申请号: 201710304815.2 申请日: 2017-05-03
公开(公告)号: CN107464873A 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 李华楠;潘尧波;关承浩;王党杰 申请(专利权)人: 合肥彩虹蓝光科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 王华英
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 避免 倒装 芯片 漏电 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及LED倒装芯片固晶技术领域,特别是涉及一种避免倒装芯片固晶漏电的方法。

背景技术

随着LED产品的功率会越来越大,随之而来的散热问题会变的更加突出。引线键合的正装LED产品在大电流的情况下散热会成为最主要的问题,同时由于正面电极朝上,会遮掉一部分光,降低发光效率,而通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更有效的出光,也能更好的散热。

目前LED行业芯片倒装焊接方式主要有倒装共晶焊接以及倒装锡膏、导电银胶焊接。

倒装共晶焊接是指在LED芯片采用共晶焊接的情况下,其晶粒底部由于使用纯锡或金锡合金作接触面镀层时,使得晶粒能直接焊于镀有金或银的焊盘上,这样,当焊盘被加热至适合的共晶温度时,金或银元素渗透到金锡合金层,使合金层成分改变,最终提高其晶粒熔点,使共晶层成份产生变化的同时,将LED芯片紧固的焊接于焊盘上;而倒装锡膏、导电银胶焊接是指用锡膏或者导电银胶将芯片粘接后,烘烤固化焊接LED芯片的一种焊接方式。

以上提及焊接方式都存在各自的优缺点。下面分别简单阐述下:

共晶焊接:金锡合金导热导电性好,通过共晶焊接工艺实现的是金属连接,其导热性能远远超越导热胶以及导热银浆的连接工艺,避免了热压焊接因为金线导致的死灯问题,但是由于焊接使用的是金锡合金,所以成本会相对较高。

锡膏、导电银胶焊接:倒装芯片使用锡膏焊接避免了热压焊线的死灯问题,但是锡膏本身是一种均匀、稳定的锡合金粉、助焊剂、以及溶剂的混合物,掺杂物多,熔点比较低,LED在过回流焊时会使锡膏熔化,芯片会在锡膏上漂移,避免这种情况就要使用高熔点锡膏,这样成本就会增加,同时难以避免焊接的空洞率问题;导电银胶价格比较低廉,很好的解决了热压焊死灯以及锡膏成本高的问题,但是却存在漏电、短路以及芯片下部空洞率的问题。

使用导电银胶倒装焊接方式固晶,通常为在LED支架碗杯的正负极焊盘上点导电银胶,如图1所示,然后将芯片粘接在焊盘上,施以一定的压力压实后烘烤,固化后完成焊接。导电银胶的胶量要求很高,胶量过多可能造成漏电,甚至短路,而胶量过少则可能导致芯片的粘接力不足,孔洞率变高。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种避免倒装芯片固晶漏电的方法,该方法在正负极焊盘表面的导电银胶之间设置紫外胶,避免由于固晶造成漏电甚至短路的可能,同时避免出现芯片的粘接力不足和孔洞率变高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种避免倒装芯片固晶漏电的方法,包括以下步骤:

1)提供一LED支架碗杯,所述LED支架碗杯包括一正极焊盘和一负极焊盘,所述正极焊盘与所述负极焊盘之间设置有隔离带;在所述隔离带表面上点和/或涂紫外胶;

2)在所述正极焊盘和所述负极焊盘表面上分别点和/或涂导电银胶或锡膏;

3)将芯片与所述导电银胶、所述紫外胶的表面粘合,然后压实;或者,将芯片与所述锡膏、所述紫外胶的表面粘合,然后压实;

4)对步骤3)获得的结构进行紫外光照射,直至所述紫外胶固化;

5)对步骤4)获得的结构进行烘烤使所述导电银胶或所述锡膏固化。

于本发明的一实施方式中,在步骤1)中,采用点胶机进行点和/或涂所述紫外胶。

于本发明的一实施方式中,在步骤1)中,所述紫外胶的形状包括不连续的点状、椭圆形、方形和圆角矩形的任意一种。

于本发明的一实施方式中,在步骤2)中,采用点胶机进行点和/或涂所述导电银胶或所述锡膏。

于本发明的一实施方式中,在步骤2)中,所述导电银胶为各向同性导电银胶,其固化温度为130-150℃。

于本发明的一实施方式中,在步骤2)中,所述导电银胶的形状包括不连续的点状、椭圆形、方形和圆角矩形中的任意一种或者组合;或者,所述锡膏的形状包括不连续的点状、椭圆形、方形和圆角矩形中的任意一种或者组合。

于本发明的一实施方式中,以垂直于所述正极焊盘和所述负极焊盘中心连线的方向为长度方向,所述紫外胶的长度大于所述导电银胶或所述锡膏的长度。

于本发明的一实施方式中,在步骤3)中,所述紫外光的波长为365nm,光强度值为70-95mw/cm2,照射时间为9-30s。

于本发明的一实施方式中,在步骤5)中,当使所述导电银胶固化时,所述烘烤条件为:在25-35min内将温度升至140-160℃,保持25-35min,然后在25-35min内将温度升至200-220℃,保持25-35min。

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