[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板

说明书

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板，其中的制作方法为：在完成硅薄膜晶体管的部分制程及电容制程后，先形成顶栅结构的氧化物薄膜晶体管，再形成硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，从而在缓冲层上的第一位置、第二位置及第三位置处形成硅薄膜晶体管、电容与氧化物薄膜晶体管，由于制得的薄膜晶体管阵列基板包括顶栅型的氧化物薄膜晶体管，且硅薄膜晶体管的栅极与源漏极之间间隔多层绝缘层而距离增大，从而有效降低了整体的寄生电容，有利于改善显示器件的高分辨显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是关于一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

随着显示技术的发展，基于低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)的显示器件越来越多地运用到日常显示中。

采用低温多晶硅有许多优点，如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低，但采用低温多晶硅也存在漏电流高、均一性差和显示屏斑点(mura)等缺陷。随着显示分辨率的增高，显示器件所需的驱动电流越来越小，由于LTPS提供的驱动电流较大，通常需要设计成U型沟道或者S型沟道，而采用氧化物半导体作为驱动薄膜晶体管，可以缩小器件面积，实现高分辨。因此，低温多晶硅和氧化物半导体相结合的技术越来越受到业内的关注。然而，现有采用低温多晶硅和氧化物薄膜晶体管混合结构的薄膜晶体管阵列基板仍存在寄生电容较大的问题，在制作高分辨显示屏体时RC延迟较为严重，不能很好的满足显示器件的高分辨显示要求，不利于该项技术的优势发挥。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，可制得寄生电容较小的薄膜晶体管阵列基板。

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

提供一基板，在所述基板上依次形成缓冲层、图案化的多晶硅层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、电容绝缘层、图案化的第二金属层及第一层间绝缘层，其中，所述图案化的多晶硅层包括位于所述缓冲层的第一位置处的硅薄膜晶体管有源层，所述图案化的第一金属层包括位于所述硅薄膜晶体管有源层上方的硅薄膜晶体管栅极和位于所述缓冲层的第二位置上方的电容下电极，所述图案化的第二金属层包括位于所述电容下电极上方的电容上电极；

刻蚀除去所述电容绝缘层和所述第一层间绝缘层的位于所述缓冲层的第三位置上方的部分以暴露出所述第一栅绝缘层的位于所述第三位置上方的部分；

依次形成图案化的氧化物半导体层、第二栅绝缘层、图案化的第三金属层、第二层间绝缘层，所述图案化的氧化物半导体层包括位于所述缓冲层的第三位置上方的氧化物薄膜晶体管有源层，所述图案化的第三金属层包括位于所述氧化物薄膜晶体管有源层上方的氧化物薄膜晶体管栅极；

形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔，所述第一过孔与所述第二过孔分别暴露出所述硅薄膜晶体管有源层的两端，所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端；

形成图案化的第四金属层，所述第四金属层包括硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，其中，所述硅薄膜晶体管漏极和所述硅薄膜晶体管源极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述硅薄膜晶体管有源层的两端接触，所述氧化物薄膜晶体管漏极和所述氧化物薄膜晶体管源极分别通过所述第三过孔和所述第四过孔与所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端接触。

进一步的，所述第二栅绝缘层为图案化的第二栅绝缘层，形成所述图案化的第二栅绝缘层的步骤包括：

沉积一栅绝缘层；

刻蚀除去所述栅绝缘层的位于所述第一位置与所述第二位置上方的部分以形成图案化的第二栅绝缘层。

进一步的，所述第二位置位于所述第一位置与所述第三位置之间。