[发明专利]晶圆识别码的监测方法以及监测结构

说明书

一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，监测方法包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。本发明能够监测生成的晶圆识别码是否发生偏移以及获取晶圆识别码发生偏移的量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构。

背景技术

随着信息化的不断发展以及晶圆的广泛应用，用户或者客户对晶圆的生产制造、销售、使用过程的追踪要求越来越高，也希望对晶圆的追踪越来越精准。不但要求能够追踪到生产的每一个批次的晶圆，还要求能够追踪到单个晶圆，因此，晶圆追踪功能由批次转换到更为精细的单个晶圆的需求也是势在必行。

为满足上述需求，晶圆识别码(Wafer ID)被标记于每一片晶圆上，作为晶圆的身份标识，可以用于辨别每一批晶圆甚至每一批晶圆中的各个晶圆。晶圆识别码可以先于半导体器件形成在晶圆的外围区域，也可以在形成半导体器件之后形成在晶圆的外围区域。

但是，在晶圆上形成晶圆识别码的工艺过程中经常会出现晶圆识别码偏移的问题，导致难以识别晶圆，从而影响后续的生产工艺。目前，Inline以及OQA(OutgoingQuality Assurance)目检只能检视出晶圆识别码的完整性和可见性，难以识别晶圆识别码的位置偏移。

为此，亟需提供一种晶圆识别码的监测方法以及监测结构，获取晶圆识别码的位置情况。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆条形码的监测方法以及监测结构，以便实时监测晶圆条形码是否有发生偏移以及发生的偏移量，获取生成的晶圆识别码的位置情况。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆识别码的监测方法，包括：提供具有外围区域的晶圆，所述晶圆外围区域的边缘具有缺口，且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区，其中，所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间，所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合；在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码；在所述监测区的晶圆上生成监测识别码，且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合；监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。

可选的，判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括：当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线重合时，判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移；当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线未重合时，判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。

可选的，所述监测方法还包括：当监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线不重合时，获取所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线之间的偏移量，所述偏移量即为生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。

可选的，采用显微镜观测的方式，监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合。

可选的，所述监测区包括：以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区；生成所述监测识别码的方法包括：在所述第一监测区生成第一监测识别码；在所述第二监测区生成第二监测识别码，所述第二监测识别码与所述第一监测识别码相对于所述监测识别码的中心线相对称。