[发明专利]晶圆识别码的监测方法以及监测结构有效

专利信息
申请号: 201710160231.2 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN108630563B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 毕强;孙强;陈思安 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 识别码 监测 方法 以及 结构
【权利要求书】:

1.一种晶圆识别码的监测方法,其特征在于,包括:

提供具有外围区域的晶圆,所述晶圆外围区域的边缘具有缺口,且所述外围区域还包括晶圆识别码区以及监测区,其中,所述监测区位于所述缺口与所述晶圆识别码区之间,所述晶圆识别码区的中心线、所述监测区的中心线以及所述缺口的中心线相重合;

在所述晶圆识别码区的晶圆上生成晶圆识别码;

在所述监测区的晶圆上生成监测识别码,且所述监测识别码的中心线与所述晶圆识别码的中心线相重合,所述监测识别码包括第一监测识别码和第二监测识别码,所述第一监测识别码与所述第二监测识别码相对于所述监测识别码的中心线对称;

监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合,判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移。

2.如权利要求1所述的监测方法,其特征在于,判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括:当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线重合时,判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移;当所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线未重合时,判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。

3.如权利要求1或2所述的监测方法,其特征在于,所述监测方法还包括:当监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线不重合时,获取所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线之间的偏移量,所述偏移量即为生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。

4.如权利要求1所述的监测方法,其特征在于,采用显微镜观测的方式,监测所述缺口的中心线与所述监测识别码的中心线是否重合。

5.如权利要求1所述的监测方法,其特征在于,所述监测区包括:以所述监测区的中心线为分割线的第一监测区以及第二监测区;

生成所述监测识别码的方法包括:在所述第一监测区生成第一监测识别码;在所述第二监测区生成第二监测识别码。

6.如权利要求5所述的监测方法,其特征在于,所述缺口具有相对的左边界以及右边界,所述第一监测区的中心线与所述缺口的左边界对齐,所述第二监测区的中心线与所述缺口的右边界对齐;其中,所述第一监测识别码包括轴对称的两组第一图形;所述第二监测识别码包括轴对称的两组第二图形;

判断生成的所述晶圆识别码是否发生偏移的方法包括:

当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界对齐,且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界对齐时,判断生成的所述晶圆识别码未发生偏移;

当所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界未对齐,且所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界未对齐时,判断生成的所述晶圆识别码发生偏移。

7.如权利要求6所述的监测方法,其特征在于,所述监测方法还包括:通过监测所述两组第一图形的对称轴与所述缺口的左边界之间的偏移量,或者,通过监测所述两组第二图形的对称轴与所述缺口的右边界之间的偏移量,获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量。

8.如权利要求7所述的监测方法,其特征在于,所述第一图形包括若干列各不相同的第一子图形;所述第二图形包括若干列各不相同的第二子图形;

获取生成的所述晶圆识别码发生偏移的量的方法包括:

定义与所述缺口左边界对齐的一列第一子图形为第一对准图形,获取所述第一对准图形与两组第一图形的对称轴之间的距离,所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量;

或者,定义与所述缺口右边界对齐的一列第二子图形为第二对准图形,获取所述第二对准图形与所述两组第二图形的对称轴之间的距离,所述距离为所述晶圆识别码发生偏移的量。

9.如权利要求8所述的监测方法,其特征在于,相邻列第一子图形之间的距离相等,两组第一图形之间的距离为相邻列第一子图形之间的距离的2倍;相邻列第二子图形之间的距离相等,两组第二图形之间的距离为相邻列第二子图形之间的距离的2倍。

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