[发明专利]一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路在审
| 申请号： | 201710153310.0 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106803715A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 黄波;李志雨;田远;董兆雯;蔡阿利;颜繁龙;李波;高鑫;许洪东;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/44;H03K17/16;H03K17/689 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 mosfet 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路，其特征在于：包括隔离模块、驱动模块以及电阻模块，所述隔离模块、驱动模块以及电阻模块依次连接，所述驱动模块的正驱动电压为18V至22V，所述驱动模块的负驱动电压为-2.5V至-4.5V。
2.如权利要求1所述的一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路，其特征在于：所述电阻模块的开通电阻为2欧姆至8欧姆。
3.如权利要求2所述的一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路，其特征在于：所述电阻模块的关断电阻小于或等于开通电阻。
4.如权利要求1所述的一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路，其特征在于：所述隔离模块的CMTI大于或等于25kV/us。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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