[发明专利]电路模块及其制造方法在审
申请号: | 201710147229.1 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107045991A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 冯宇翔 | 申请(专利权)人: | 广东美的制冷设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/49 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 王庆龙 |
地址: | 528311 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种电路模块,其特征在于,包括:多个电路元件、至少一个散热块、金属薄板、绝缘胶层、金属框架、多条引脚和保护层;其中,
所述绝缘胶层设置在所述金属薄板的上表面;所述绝缘胶层上设置有预设形状的凹陷;
所述金属框架设置在所述凹陷中且所述金属框架与所述凹陷的形状相匹配;
多个所述电路元件固定所述金属框架上;且部分所述电路元件上固定至少一个所述散热块;
所述保护层与所述金属薄板形成密闭空间以密封所述绝缘胶层、所述金属框架、多个所述电路元件和至少一个所述散热块的下半部分;所述下半部分是指所述散热块与电路元件接触面和所述保护层远离金属薄板的表面之间的部分;
多条所述引脚设置在所述金属框架边缘的预设位置;每条所述引脚的一端设置在所述密闭空间内部与所述金属框架电连接,另一端设置在所述密闭空间的外部。
2.根据权利要求1所述的电路模块,其特征在于,所述金属框架中每条金属线的侧面与其上表面垂直。
3.根据权利要求1所述的电路模块,其特征在于,所述金属框架的上表面设置有镀金层或者镀银层。
4.根据权利要求1~3任一项所述的电路模块,其特征在于,固定至少一个所述散热块的部分所述电路元件的输入端和输入端设置在所述接触面的相对面。
5.根据权利要求4所述的电路模块,其特征在于,至少一个所述散热块为第一预设厚度的铜片,且该钢片的侧面与其上表面垂直;
和/或,
至少一个所述散热块的表面设置有第二预设厚度的镀银层。
6.根据权利要求1所述的电路模块,其特征在于,所述凹陷与所述绝缘胶层的厚度之比不大于1:2。
7.一种制造权利要求1~6任一项所述的电路模块的方法,其特征在于,所述方法包括:
形成预设图形的金属框架;所述金属框架中每条金属线的侧面与其上表面垂直;
将至少一个散热块贴装在部分电路元件上;
将多条引脚、多个电路元件分别固定到所述金属框架的预设位置上;
将上述金属框架固定在上表面设置有绝缘胶层的金属薄板上;所述绝缘胶层上设置有与所述金属框架形状相匹配的凹陷;
形成与所述金属薄板成密封空间的保护层以密封所述绝缘胶层、所述金属框架、多个所述电路元件和至少一个所述散热块的下半部分;所述下半部分是指所述散热块与电路元件接触面和所述保护层远离金属薄板的表面之间的部分。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述形成预设图形的金属框架的步骤包括:
利用冲压模具在铜板上冲压出预设图形的所述金属框架;
或者,
利用锣刀切割高速钢得到预设图形的所述金属框架;所述锣刀与所述高速钢表面垂直。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述将至少一个散热块贴装在部分所述电路元件上的步骤包括:
利用冲压或者刻蚀方式形成第一预设厚度的铜片得到至少一个所述散热块;
利用共晶工艺将至少一个所述散热块贴装到部分所述电路元件上。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述利用冲压或者刻蚀方式形成第一预设厚度的铜片得到至少一个所述散热块的步骤包括:
采用电镀方式在所述第一预设厚度的铜片表面形成第二预设厚度的镀银层。
11.根据权利要求7~10任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
利用铜板制成预设长度、预设宽度和预设厚度的长条状的多条铜条;
利用化学镀工艺在多条上述铜条的表面形成镍层;
在室温下将形成镍层的多条上述铜条浸在带有正锡离子的镀液中通电从而在所述镍层表面形成镍锡合金层,得到多条引脚。
12.根据权利要求7~10任一项所述的方法,其特征在于,所述将多条引脚、多个电路元件分别固定到所述金属框架的预设位置上的步骤包括:
将所述金属框架固定在底板的凹槽中;所述凹槽与所述金属框架的形状相匹配;所述底板为表面光滑的耐高温不锈钢材;
在所述金属框架的预设位置涂装锡膏;
将所述电路元件和所述引脚安装到对应的预设位置;
利用回流焊将上述锡膏固化以固定多个所述电路元件和多条所述引脚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造