[发明专利]显示基板的制作方法、显示基板和显示装置在审
申请号: | 201710142159.0 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN106876411A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 王小元;方琰;张逵;许志财;邓鸣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒,王小会 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(Thin-Film-Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品中,常采用平坦层(Organic layer,ORG)平坦膜层和降低负载。
发明内容
本公开的至少一实施例涉及一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置,利于减小周边区的平坦层的厚度或去除周边区的平坦层,利于第一导电单元和第二导电单元之间的连接,并利于第二导电单元与驱动电路连接,接触面积大,接触电阻小,连接性好。
本公开的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成绝缘层,所述衬底基板包括显示区和周边区;
在所述绝缘层上形成平坦膜;
对所述平坦膜进行图案化工艺,在所述显示区形成第一厚度的平坦层,在所述周边区形成第二厚度的平坦层,且在所述第二厚度的平坦层中形成第一过孔,所述第二厚度小于所述第一厚度;
对所述周边区进行刻蚀处理,以使所述第二厚度的平坦层被减薄或去除,且在所述绝缘层中形成与所述第一过孔对应的第二过孔。
本公开的至少一实施例还提供一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和周边区;
绝缘层,设置在所述衬底基板上;
平坦层,设置在所述绝缘层上,所述平坦层包括设置在所述显示区的显示区平坦层和设置在所述周边区的周边区平坦层,所述周边区平坦层的厚度小于所述显示区平坦层的厚度,在所述周边区设有贯穿所述平坦层和所述绝缘层的过孔。
本公开的至少一实施例还提供一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和周边区;
栅极绝缘层,设置在所述衬底基板上;
钝化层,设置在所述栅极绝缘层上,所述钝化层包括设置在所述显示区的第一厚度的钝化层和设置在所述周边区的第二厚度的钝化层,所述第二厚度小于所述第一厚度,在所述栅极绝缘层和所述第二厚度的钝化层中设有过孔,或者,在所述第二厚度的钝化层中设有过孔。
本公开的至少一实施例还提供一种显示装置,包括本公开实施例所述的任一显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种显示基板俯视示意图;
图2为一种显示基板的周边区的接线俯视示意图;
图3为图1沿A-B处的剖视示意图;
图4为一种显示基板的周边区的俯视示意图;
图5为图4沿C-D处的一种剖视示意图;
图6为图4沿C-D处的另一种剖视示意图(本公开一实施例提供的在减薄时恰巧第二厚度的平坦层被完全去除时第二导电单元与第一导电单元连接的示意图);
图7为一种显示基板的周边区的俯视示意图;
图8为图7沿E-F处的剖视示意图;
图9A为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区形成第一导电单元、栅极绝缘层和钝化层的示意图;
图9B为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区形成平坦膜的示意图;
图9C为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区形成第二厚度的平坦层的示意图;
图9D为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区在栅极绝缘层和钝化层中对应第二厚度的平坦层中的第一过孔处形成第二过孔的示意图;
图9E为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区形成第二导电单元的示意图;
图9F为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区形成第二导电单元与驱动电路连接的示意图;
图10为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区刻蚀工艺中第二厚度的平坦层被完全去除并且钝化层(绝缘层)被刻蚀部分厚度的示意图;
图11为本公开一实施例提供的在周边区/Pad区刻蚀工艺中第二厚度的平坦层被完全去除并且钝化层(绝缘层)被刻蚀部分厚度时第二导电单元与第一导电单元连接的示意图;
图12为本公开一实施例提供的第一导电单元设置在栅极绝缘层和钝化层之间时第二导电单元通过第二过孔与第一导电单元连接的示意图;
图13为本公开一实施例提供的第一导电单元设置在栅极绝缘层和钝化层之间时第二导电单元通过第二过孔与第一导电单元连接的示意图。
附图标记:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的