[发明专利]一种超薄硅的化学切割方法

权利要求书

1.一种超薄硅的化学切割方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）硅锭清洗，去除硅锭表面油污，备用；

（2）金属丝线细化、活化处理：采用稀硝酸溶液对金属丝线进行浸泡处理，完成对金属丝线的细化、活化，所述金属丝线为Au、Pt、Ag或Pd；

（3）刻蚀液配置：选取氢氟酸或氟化铵与氧化剂混合形成刻蚀液；所述刻蚀液中加入异丙醇或乙醇以改善其切割速度和均匀性；

（4）硅锭化学切割：将金属丝线悬空固定在刻蚀槽中，将清洗后的硅锭置于金属丝线上方，将步骤（3）配置好的刻蚀液倒入刻蚀槽中，并将硅锭及金属丝线完全浸没，以实现金属丝线催化的硅锭化学切割；

（5）硅片后处理：将切割后的薄片浸泡于碱性溶液中，或者浸泡于HF与氧化剂的混合溶液中进行表面处理，混合溶液中HF的质量百分比浓度为1%~50%，氧化剂的质量百分比浓度为5%~45%，然后采用大量去离子水冲洗、吹干即可，所述氧化剂为H₂O₂、HNO₃、Fe(NO₃)₃、KMnO₄、 KBrO₃、K₂Cr₂O₇、 Na₂S₂O₈中的一种。

2.根据权利要求1所述超薄硅的化学切割方法，其特征在于：硅锭为单晶硅或者多晶硅；金属丝线的直径在5~50μm之间。

3.根据权利要求1所述超薄硅的化学切割方法，其特征在于：步骤（3）中所述氧化剂为H₂O₂、HNO₃、Fe(NO₃)₃、KMnO₄、 KBrO₃、K₂Cr₂O₇、 Na₂S₂O₈中的一种或多种按任意比例混合。

4.根据权利要求1所述超薄硅的化学切割方法，其特征在于：步骤（3）中所述刻蚀液中氢氟酸或氟化铵的质量百分比浓度为1%~60%，氧化剂的质量百分比浓度浓度为5%~80%之间。

5.根据权利要求1所述超薄硅的化学切割方法，其特征在于：步骤（5）中所述碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液，其质量百分比浓度为1%~85%。