[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

功率半导体模块包含IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等，例如作为功率转换装置被广泛使用。

功率半导体模块例如具有半导体元件和层叠基板，该层叠基板具有分别在正面形成电路板、在背面形成金属板的绝缘板，并在电路板上经由焊料设置有半导体元件。功率半导体模块还具有印刷基板，该印刷基板与层叠基板相对配置，将分别与半导体元件及电路板接合的导电柱电连接而形成。并且，使用由密封树脂构成的第1密封体，将半导体元件、层叠基板和印刷基板密封(例如参照专利文献1)。

例如，准备4个这样的功率半导体模块(半导体单元)配置为2行2列。用连接单元将各个半导体单元的控制电极之间、主端子之间连接，并使用由密封树脂构成的第2密封体将所有半导体单元和连接单元密封，由此构成半导体装置。半导体装置含有4个半导体单元，因此能够增大电流容量。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2009-064852号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

为了提高与密封时所用金属模具的脱模性，在构成半导体单元的第1密封体上涂布有脱模剂等。因此，第1密封体和用于构成半导体装置(密封半导体单元)的第2密封体的密合性下降，在第1密封体和第2密封体之间可能发生剥离。当半导体装置内不断发生剥离，变得无法可靠地密封半导体单元时，则会发生半导体单元的位置偏移，进一步导致半导体装置的机械性破损、故障。

本发明的目的在于提供一种可靠地密封多个半导体单元的半导体装置。

解决技术问题所采用的技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，具有：多个半导体单元及第2密封体，所述半导体单元分别具备：半导体元件；以及第1密封体，该第1密封体形成为密封所述半导体元件，并在正面形成有多个凸部，所述多个半导体单元并排配置，在相对的部位具备相互卡合的卡合部，并通过所述卡合部连结；所述第2密封体形成为密封所述半导体单元。

发明效果

通过公开的技术，能够防止半导体装置的机械性破损、故障等，抑制半导体装置的可靠性下降。

附图说明

图1是第1实施方式中半导体装置的俯视图。

图2是第1实施方式中半导体装置的剖视图。

图3是第1实施方式中半导体单元的俯视图。

图4是第1实施方式中半导体单元的剖视图。

图5是第2实施方式中半导体单元的俯视图。

图6是第3实施方式中半导体单元的剖视图。

具体实施方式

[第1实施方式]

以下，利用附图，对第1实施方式进行说明。

首先，利用图1及图2，针对半导体装置进行说明。

图1是第1实施方式中半导体装置的俯视图。

另外，图1中用虚线表示半导体单元100a、100b、100c、100d的配置位置。

图2是第1实施方式中半导体装置的剖视图。

图2是沿图1的点划线X-X的剖视图。

半导体装置10具备：多个半导体单元100a、100b、100c、100d(根据情况，将其统称为半导体单元100)、底板11、及连接单元14。关于半导体单元100的详情之后进行说明。多个半导体单元100的背面侧分别利用焊料12a接合在底板11上。此外，连接单元14、多个半导体单元100的控制端子152及主端子151(这些统称为连接端子)由焊料12b接合。并且，利用连接单元14，将多个半导体单元100并联地电连接。另外，本实施方式中，举例说明了在半导体装置10中搭载有横纵2列(2行2列)4个半导体单元100的情况。

底板11由热导率优异的金属、例如铜或铝构成。

连接单元14具有印刷基板14a、外部连接端子14b、外部控制端子14c。

印刷基板14a将多个电路层(省略图示)和绝缘层(省略图示)层叠而构成。

此外，外部连接端子14b与印刷基板14a中所包含的电路层电连接。外部连接端子14b与外部装置连接，输出来自半导体单元100的输出电流。