[发明专利]一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法在审
申请号: | 201710009114.6 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN108277524A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 张立平;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 | 申请(专利权)人: | 银川隆基硅材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;C30B29/06 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 钟欢 |
地址: | 750021 宁夏回族自治区银*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅原料 纯铝 单晶硅棒 掺杂 改良 单晶炉 加热器 熔化 电阻率分布 保护气体 电阻分布 高温熔化 缺陷产生 生长过程 石英坩埚 不良率 硅溶液 等径 电阻 放肩 分凝 停炉 引晶 收尾 装入 密封 生长 | ||
【权利要求书】:
1.一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法,其特征在于,包括如下步骤:先按一定比例在硅原料中添加纯铝颗粒,然后将硅原料及纯铝颗粒装入单晶炉内的石英坩埚中,将单晶炉密封通入保护气体后,通过加热器将硅原料及纯铝颗粒熔化,最后经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉工序后,得到N型单晶硅棒。
2.如权利要求1所述的一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法,其特征在于,所述纯铝颗粒与硅原料按照0.01-0.05g/100kg的比例添加到硅原料中。
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