[实用新型]ICP增强多靶磁控溅射装置有效
申请号: | 201620802147.7 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN205803587U | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 杨佳奇;胡一波;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | icp 增强 磁控溅射 装置 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620802147.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类