[实用新型]低成本芯片背部硅通孔互连结构有效

专利信息
申请号: 201620021427.4 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN205335254U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 于大全;邹益朝;王晔晔;肖智轶 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德;段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 低成本 芯片 背部 硅通孔 互连 结构
【权利要求书】:

1.一种低成本芯片背部硅通孔互连结构,其特征在于:包 括至少一正面带有焊垫(2)的芯片(1),所述芯片背面形成 有对应所述焊垫的通孔(3),所述通孔的底部开口暴露所述焊 垫且尺寸小于所述焊垫的尺寸;所述芯片背面及所述通孔的侧 壁上覆盖有绝缘层(4);所述通孔的底部开口暴露的焊垫表面 上采用化镀的方法形成有一定厚度的金属层(5);所述通孔内 采用非电镀的方法填充满了导电材料(6)。

2.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述焊垫的材质是铝、铝合金、铜和铜合金 中的一种。

3.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述焊垫正面部分或全部被无机介质层或有 机聚合物介质层覆盖,所述焊垫背面边缘被无机介质层覆盖。

4.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述绝缘层的材质为二氧化硅、氮化硅、聚 合物绝缘材料中的一种。

5.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述通孔为直孔或斜孔或直孔与斜孔的组合。

6.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述金属层为一层结构或多层结构,每层的 材质为镍、镍磷、银、铜、钴、金、钯中的一种。

7.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述金属层的厚度大于0.2微米。

8.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述通孔内填充的导电材料凸出所述芯片的 背面,形成凸点。

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