[实用新型]低成本芯片背部硅通孔互连结构有效
申请号: | 201620021427.4 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN205335254U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 于大全;邹益朝;王晔晔;肖智轶 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德;段新颖 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低成本 芯片 背部 硅通孔 互连 结构 | ||
1.一种低成本芯片背部硅通孔互连结构,其特征在于:包 括至少一正面带有焊垫(2)的芯片(1),所述芯片背面形成 有对应所述焊垫的通孔(3),所述通孔的底部开口暴露所述焊 垫且尺寸小于所述焊垫的尺寸;所述芯片背面及所述通孔的侧 壁上覆盖有绝缘层(4);所述通孔的底部开口暴露的焊垫表面 上采用化镀的方法形成有一定厚度的金属层(5);所述通孔内 采用非电镀的方法填充满了导电材料(6)。
2.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述焊垫的材质是铝、铝合金、铜和铜合金 中的一种。
3.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述焊垫正面部分或全部被无机介质层或有 机聚合物介质层覆盖,所述焊垫背面边缘被无机介质层覆盖。
4.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述绝缘层的材质为二氧化硅、氮化硅、聚 合物绝缘材料中的一种。
5.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述通孔为直孔或斜孔或直孔与斜孔的组合。
6.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述金属层为一层结构或多层结构,每层的 材质为镍、镍磷、银、铜、钴、金、钯中的一种。
7.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述金属层的厚度大于0.2微米。
8.根据权利要求1所述的低成本芯片背部硅通孔互连结 构,其特征在于:所述通孔内填充的导电材料凸出所述芯片的 背面,形成凸点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技(昆山)电子有限公司,未经华天科技(昆山)电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620021427.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储装置及其版图结构
- 下一篇:一种SOT23引线框架