[发明专利]用于存储器的目标刷新的设备及方法有效
申请号: | 201611197820.X | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN107424646B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 威廉·F·琼斯;杰弗里·P·莱特 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/408;G11C8/10;G11C17/16;G11C17/18;G11C29/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储器 目标 刷新 设备 方法 | ||
本发明涉及用于存储器的目标刷新的设备及方法。本文揭示用于目标行刷新的设备及方法。在实例设备中,预解码器接收目标行地址,且确定与所述目标行地址相关联的目标存储器行是主要存储器行还是冗余存储器行。所述预解码器经进一步配置以在所述主要存储器行为所述目标行时引起刷新物理上邻近于所述主要行的一或多个存储器行,或在所述冗余存储器行为所述目标存储器行时引起刷新物理上邻近于所述冗余存储器行的一或多个存储器行。
本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2014年1月17日、申请号为201480007334.X、发明名称为“用于存储器的目标刷新的设备及方法”的发明专利申请案。
本申请案主张2013年2月4日申请的第13/758,667号美国非临时专利申请案的优先权。此申请案的全文出于全部目的以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明的实施例通常涉及半导体存储器,且更具体来说,在一或多个所描述的实施例中,所述实施例涉及刷新与一或多个目标存储器行物理上邻近的一或多个存储器行。
背景技术
在当前存储器系统中,必须周期性刷新存储于非易失性存储器(例如DRAM)中的数据以补偿存储器单元中的电容器的固有泄漏。本质上,刷新包含(例如)从每一存储器行读出数据且随后将所述数据写入回到相同相应行。结果,每一电容器上的原始电荷电平被恢复且数据得以保存。
尽管使用存储器刷新来补偿泄漏的许多方法在此技术领域中是众所周知的,然而这些方法在应用于现今日益苛求的存储器操作速度及应用时已遇到困难。例如,在一些情况中,可按高频率重复存取一或多个特定存储器行。由物理上邻近于经重复存取的存储器行的存储器行的存储器单元存储的数据可在执行正常刷新操作以保存所述邻近行的数据之前降级。即,由于耦合效应,单元对单元泄漏可增加,且重复存取可使物理上邻近于所述一或多个经重复存取的行的行的数据降级。
发明内容
本文揭示用于刷新存储器的设备及方法。实例设备包含预解码器。所述预解码器经配置以接收目标行地址且确定与所述目标行地址相关联的目标存储器行是主要存储器行还是冗余存储器行。所述预解码器经进一步配置以在所述主要存储器行为所述目标存储器行时引起刷新与物理上邻近于所述主要存储器行的一或多个存储器行,或在所述冗余存储器行为所述目标存储器行时引起刷新物理上邻近于所述冗余存储器行的一或多个存储器行。
一种实例设备包含行地址预解码器及行冗余控制电路。所述行地址预解码器经配置以接收与目标存储器行相关联的目标行地址且包含TRR行地址控制电路。TRR行地址控制电路经配置成至少部分地基于所述目标存储器行为主要存储器行而引起刷新物理上邻近于所述目标存储器行的一或多个行。所述行冗余控制电路经配置以接收所述目标行地址且包含TRR冗余控制电路。TRR冗余控制电路经配置成至少部分地基于所述目标存储器行为冗余存储器行而引起刷新物理上邻近于所述目标存储器行的一或多个行。
一种实例方法包含:接收目标行地址;确定与所述目标行地址相关联的目标存储器行是主要存储器行还是冗余存储器行;如果所述目标存储器行为主要存储器行且如果物理上邻近于所述目标存储器行的主要存储器行尚未修复,那么刷新所述物理上邻近的主要存储器行;及如果所述目标存储器行为冗余存储器行且物理上邻近于所述目标存储器行的冗余存储器行被启用,那么刷新所述物理上邻近的冗余存储器行。
一种实例方法包含:接收目标行地址;确定与所述目标行地址相关联的目标存储器行是包含在主要存储器部分中还是包含在冗余存储器部分中;如果所述目标存储器行包含在主要存储器部分中且物理上邻近于所述目标存储器行的存储器行尚未修复,那么刷新物理上邻近于所述目标存储器行的所述存储器行;及如果所述目标存储器行包含在冗余存储器部分中,那么不刷新物理上邻近于所述目标存储器行的所述存储器行。
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