[发明专利]互连结构及其制造方法有效
申请号: | 201611191301.2 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN107039338B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 吴俊毅;李建勋;周淳朴;薛福隆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明的实施例提供用于制造互连结构的方法以及互连结构。该方法包括:在衬底中形成开口;在开口中形成低k介电块;在低k介电块中形成至少一个通孔;以及在通孔中形成导体。该互连结构包括衬底、介电块和导体。衬底具有位于其中的开口。介电块位于衬底的开口中。介电块具有位于其中的至少一个通孔。介电块的介电常数小于衬底的介电常数。导体位于介电块的通孔中。
技术领域
本发明的实施例总体涉及半导体领域,更具体地,涉及互连结构及其制造方法。
背景技术
半导体器件用于各种应用中,诸如个人计算机、手机、数码相机和许多其他便携式电子设备。这些便携式电子设备小型、轻量、并且以相对低的成本大量生产。
诸如便携式电子设备的半导体器件可被分为包括诸如集成电路(IC)管芯、封装件、印刷电路板(PCB)的简单层次结构和系统。封装件为IC管芯与PCB之间的接口。IC管芯由诸如硅的半导体材料制成。然后将管芯组装到封装件中。然后封装的管芯直接附接至PCB或者附接至另一衬底,这可为第二层级的封装。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种用于制造互连结构的方法,所述方法包括:在衬底中形成开口;在所述开口中形成低k介电块;在所述低k介电块中形成至少一个第一通孔;以及在所述第一通孔中形成第一导体。
根据本发明的另一方面,提供了一种互连结构,包括:衬底,所述衬底具有位于其中的开口;介电块,位于所述衬底的所述开口中,所述介电块具有位于其中的至少一个第一通孔,其中,所述介电块的介电常数小于所述衬底的介电常数;以及第一导体,位于所述介电块的所述第一通孔中。
根据本发明的又一方面,提供了一种互连结构,包括:衬底,具有位于其中的开口;介电块,位于所述衬底的所述开口中,所述介电块具有位于其中的至少一个通孔;导体,位于所述介电块的所述通孔中;以及屏蔽元件,位于所述导体周围并且通过所述介电块与所述导体分隔。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚地讨论,各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。
图1是根据本发明的一些实施例的具有差分对设计的互连结构的立体图;
图2是根据本发明的一些实施例的沿线2截取图1的互连结构的截面图;
图3是根据本发明的一些实施例的用于制造图1的互连结构的方法的流程图;
图4A至图4E为沿图1的线2截取的截面图,以顺序地例示用于制造根据本发明的一些实施例的互连结构的步骤;
图5是根据本发明的一些实施例的具有差分对设计的互连结构的立体图;
图6是根据本发明的一些实施例的沿线6截取图5的互连结构的截面图;
图7是根据本发明的一些实施例的用于制造图5的互连结构的方法的流程图;
图8A至图8I为沿图5的线6截取的截面图,以顺序地例示用于制造根据本发明的一些实施例的互连结构的步骤;
图9是根据本发明的一些实施例的具有单端设计的互连结构的立体图;
图10是根据本发明的一些实施例的沿线10截取图9的互连结构的截面图;
图11是根据本发明的一些实施例的用于制造图9的互连结构的方法的流程图;
图12A至图12E为沿图9的线10截取的截面图,以顺序地例示用于制造根据本发明的一些实施例的互连结构的步骤;
图13是根据本发明的一些其他实施例的具有单端设计的互连结构的立体图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611191301.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造