[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板制作第一导电薄膜，并对所述第一导电薄膜图形化处理制备栅极；

在基板上制作电介质薄膜，并对所述电介质薄膜图形化处理制备栅极绝缘层；

在基板上制作LaB_X薄膜，并对所述LaB_X薄膜图形化处理制备有源层，其中x的取值范围为：1.5≤x≤5.5；

在基板上制作第二导电薄膜，并对所述第二导电薄膜图形化处理制备源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在基板上制作有LaB_X薄膜的步骤具体为：采用物理气相沉积方法在基板上制备所述有源层，通过改变物理气相沉积方法中的工作气压来调节x的数值。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述物理气相沉积方法中的工作气压为0.25pa～5pa。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述工作气压为1pa～2.5pa。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述LaB_X薄膜的迁移率为1cm²V^-1s^-1～100cm²V^-1s^-1。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述物理气相沉积方法为磁控溅射、脉冲激光沉积或原子层沉积。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层为LaB_X薄膜，其中x的取值范围为：1.5≤x≤5.5。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述x的取值范围为：2.3≤x≤4.2。

9.根据权利要求7或8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源层的厚度为20nm～100nm。