[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF₄)生成的自由基的附着系数大。

技术领域

本发明涉及蚀刻方法。

背景技术

提出了在低温区域中使用了含有CH₂F₂气体的蚀刻气体的氧化硅膜等的蚀刻方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中记载有利用所公开的蚀刻气体形成高深径比的接触孔等图案。

另外，提出了如下方法：使含有氢气、溴化氢气以及三氟化氮气体、并且、含有碳化氢气体、氟碳化合物气体以及氢氟碳化合物气体中的至少任一者的气体激励，对多层膜从其表面到层叠方向的中途位置进行蚀刻而形成孔(例如，参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－159308号公报

专利文献2：日本特开2015－153941号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1和专利文献2中，并未着眼于如下内容：选择恰当的气体的组合来进行使在等离子体蚀刻中产生的反应产物附着于掩模膜的哪个位置的控制。因而，在专利文献1和专利文献2中，难以通过向蚀刻气体添加的气体来进行使反应产物堆积于掩模膜的哪个位置的控制。

针对上述课题，在一方面，本发明的目的在于一边对掩模膜的正面开口(日文：間口)的形状进行调整一边进行蚀刻。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一技术方案，可提供一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，在该蚀刻方法中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF₄)生成的自由基的附着系数大。

发明的效果

根据一方面，能够一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。

附图说明

图1是表示一实施方式的蚀刻装置的纵截面的图。

图2是表示基于H₂以及CF₄的氧化硅膜的蚀刻结果的一个例子的图。

图3是表示一实施方式的基于H₂以及CHF₃的氧化硅膜的蚀刻结果的一个例子的图。

图4是表示一实施方式的基于H₂以及CH₂F₂的氧化硅膜的蚀刻结果的一个例子的图。

图5是表示一实施方式的基于H₂以及CH₃F的氧化硅膜的蚀刻结果的一个例子的图。

图6是表示一实施方式的使CF₄或CH₂F₂的流量恒定、使氢的流量变动时的掩模选择比的一个例子的图。