[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201611165711.X | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107039229B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 高岛隆一;后平拓;大矢欣伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
1.一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，
所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，
从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳即CF4生成的自由基的附着系数大，
其中，所述蚀刻在晶圆的温度为－35℃以下的极低温度环境中实施，
所述氧化硅膜隔着掩模膜被蚀刻，通过对所述氢氟碳化合物气体相对于所述含氟气体的流量进行控制，以对堆积于所述掩模膜的反应产物的形状进行控制。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，
所述氢氟碳化合物气体是二氟甲烷即CH2F2气体、一氟甲烷即CH3F气体以及三氟甲烷即CHF3气体中的至少任一者。
3.一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体、第1含氟气体以及第2含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，
所述第2含氟气体含有氢氟碳化合物气体，
从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从所述第1含氟气体生成的自由基的附着系数大，其中，
所述蚀刻在晶圆的温度为－35℃以下的极低温度环境中实施，
所述氧化硅膜隔着掩模膜被蚀刻，通过对所述氢氟碳化合物气体相对于所述含氟气体的流量进行控制，以对堆积于所述掩模膜的反应产物的形状进行控制。
4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，
所述含氢气体是氢气即H2气体，
所述第1含氟气体是四氟化碳即CF4气体，
所述第2含氟气体是二氟甲烷即CH2F2气体、一氟甲烷即CH3F气体以及三氟甲烷即CHF3气体中的至少任一者。
5.根据权利要求3或4所述的蚀刻方法，其中，
所述掩模膜是钨即W的情况的掩模选择比为10以上。
6.根据权利要求3或4所述的蚀刻方法，其中，
所述掩模膜是多晶硅的情况的掩模选择比为5以上。
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