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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]对多层膜进行蚀刻的方法-CN201810862184.0有效
发明人： 后平拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种对多层膜进行蚀刻的方法，该方法提高掩模的多个开口的形状均一性并且提高在多层膜形成的多个开口的形状均一性和垂直性。一个实施方式的方法中，包括多个氧化硅膜和多个氮化硅膜的多层膜被蚀刻。在多层膜上设置含有碳的掩模。方法包括：执行第一等离子体处理的工序和执行第二等离子体处理的工序。这些工序中，以被加工物的其上载置的静电卡盘的温度设定为－15℃以下的温度的状态，在腔室内生成处理气体的等离子体。处理气体含有氢原子、氟原子、碳原子和氧原子，且含有含硫气体。执行第一等离子体处理的工序中的腔室的压力低于执行第二等离子体处理的工序中的腔室的压力。
多层进行蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN201910116311.7有效
发明人： 后平拓;箕浦佑也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的技术问题为抑制在由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜形成的孔或者槽的弯曲。解决方案为：等离子体蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，其利用等离子体来蚀刻由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜；和第二蚀刻工序，其在使蚀刻多层膜而形成的孔或者槽的内侧壁中与硅氮化物膜对应的部分相对于该孔或者该槽的深度方向的倾斜减少的处理条件下，利用等离子体来蚀刻多层膜。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202010396565.1有效
发明人：工藤仁;后平拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种等离子体处理装置，其包括进行控制以执行以下步骤的控制部：步骤(a)，将包含蚀刻对象膜的被加工物载置在载置台上；步骤(b)，在用温度调节机构将载置台的温度维持为‑30℃以下的状态下，在腔室内从包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体生成等离子体，来对蚀刻对象膜进行蚀刻；步骤(c)，在步骤(b)之后，将被加工物从腔室搬出；步骤(d)，在步骤(c)之后，在用温度调节机构将载置台的温度维持为0℃以上的状态下，在腔室内从含氧的清洁气体生成等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁。
等离子体处理装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202210267097.7在审
发明人：平山司;后平拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。例示性的实施方式所涉及的基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在蚀刻对象膜上并具有开口。该方法包括以下工序：工序(a)，使用第一处理气体来在与开口对应地设置于蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；工序(b)，在工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将第一层改性为第二层；以及工序(c)，在工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻凹部。
处理方法装置

[发明专利]处理被加工物的方法-CN202210338506.8在审
发明人： 后平拓;工藤仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸盘的温度上升的步骤；和在将静电吸盘的温度设定为高的温度的状态下将被加工物从腔室搬出的步骤。由此，能够在等离子体蚀刻结束后至被加工物从腔室搬出之前，将被加工物上的沉积物除去或使其量减少。
处理加工方法

[发明专利]处理被加工物的方法-CN201810067867.7有效
发明人： 后平拓;工藤仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸盘的温度上升的步骤；和在将静电吸盘的温度设定为高的温度的状态下将被加工物从腔室搬出的步骤。由此，能够在等离子体蚀刻结束后至被加工物从腔室搬出之前，将被加工物上的沉积物除去或使其量减少。
处理加工方法

[发明专利]蚀刻方法及等离子体处理装置-CN202110942114.8在审
发明人：中谷理子;后平拓;宋孝锡;田所昌洋;沼田健太郎;八重樫圭太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供在使硅氧化膜与硅膜交替地层叠的层叠膜的蚀刻时，提高选择比的技术。本发明提供一种蚀刻方法，其为对于在基板上交替地层叠有硅氧化膜和硅膜的层叠膜，通过等离子体形成所期望的蚀刻形状的蚀刻方法，其包括下述步骤：准备上述基板的步骤；将上述基板的表面温度冷却至‑40℃以下的步骤；通过等离子体生成用的高频电力来生成含有氢和氟的气体的等离子体的步骤；以及通过生成的等离子体将上述层叠膜进行蚀刻的步骤。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202110916789.5在审
发明人： 后平拓;中谷理子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。在低温环境下使氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜的基底膜露出的蚀刻中，可以维持层叠膜的蚀刻速率，且确保对基底膜的选择比。提供一种蚀刻方法，其为对具有基底膜、前述基底膜上的交替地层叠有第1膜和第2膜的层叠膜、和前述层叠膜上的掩模的基板利用等离子体通过前述掩模而在前述层叠膜中形成凹部的蚀刻方法，所述蚀刻方法具备如下工序：准备前述基板的工序；和，将基板温度维持为15℃以下，利用含有氢、氟和碳的气体的等离子体进行蚀刻，直至前述层叠膜的前述凹部到达前述基底膜的工序。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202111186066.0在审
发明人： 后平拓;冨永翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括控制部，其执行以下步骤，即：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。
等离子体处理装置

[发明专利]对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法-CN201710827662.X有效
发明人： 后平拓;冨永翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。
氧化氮化选择进行蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN202110189883.5在审
发明人：中谷理子;箕浦佑也;后平拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法。[课题]抑制腔室内的部件的消耗、且实现工艺的稳定化。[解决方案]一种等离子体处理方法，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括如下工序：在腔室内将含有碳和氢的第1气体等离子体化，从而用具有导电性的膜涂覆腔室内的部件的表面的工序；向腔室内搬入基板的工序；和，在腔室内的部件的表面用具有导电性的膜涂覆了的状态下，在腔室内将第2气体等离子体化，从而对基板进行处理的工序。
等离子体处理方法

[发明专利]基片处理方法、基片处理装置和清洁装置-CN202010715163.3在审
发明人：近江宗行;后平拓;村上贵宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理方法，其包括：准备含有蚀刻对象膜和掩模的基片的步骤；用等离子体通过所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤；和在所述进行蚀刻的步骤之后，在规定的温度下对基片进行热处理的步骤。根据本发明，能够防止因沉积于蚀刻对象膜的反应生成物而使蚀刻对象膜受到损伤。
处理方法装置清洁

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202010221800.1在审
发明人： 后平拓;田所昌洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法-CN201810062455.4有效
发明人：工藤仁;后平拓 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜在低温下进行蚀刻的主蚀刻；将被加工物从腔室搬出的步骤；和通过在将静电卡盘的温度设定为高温度的状态下生成清洁气体的等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁的步骤。
等离子体处理装置主体内部清洁方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201611165711.X有效
发明人：高岛隆一;后平拓;大矢欣伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF₄)生成的自由基的附着系数大。
蚀刻方法

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