[发明专利]含氮化硅的热化学气相沉积涂层

权利要求书

1.一种方法，包括：

在腔室内的表面上制备含氮化硅的热化学气相沉积涂层；

其中，在所述表面上制备含氮化硅的热化学气相沉积涂层的过程中，流入和流出所述腔室是受限的或暂停的。

2.权利要求1的方法，其中制备过程包括将三甲硅烷基胺引入所述腔室中。

3.权利要求2的方法，其中三甲硅烷基胺的引入包括：当所述腔室处于第一压力时，打开与包含所述三甲硅烷基胺的容器连接的流量控制装置，然后当所述腔室内的压力处于第二压力时，闭合流量控制装置，第一压力与第二压力不同。

4.权利要求2的方法，其中制备过程还包括在引入三甲硅烷基胺的同时，将氨引入所述腔室中。

5.权利要求2的方法，其中制备过程还包括在引入三甲硅烷基胺之前，将氨引入所述腔室中。

6.权利要求2的方法，其中制备过程还包括在引入三甲硅烷基胺之后，将氨引入所述腔室中。

7.权利要求2的方法，其中引入过程包括：当所述腔室处于第一压力时，打开与包含所述胺的容器连接的流量控制装置，然后当所述腔室内的压力处于第二压力时，闭合流量控制装置，第一压力与第二压力不同。

8.权利要求1的方法，其中制备过程在至少325℃的温度下进行。

9.权利要求1的方法，其中制备过程包括氧化，所述氧化在至少300℃的温度下进行。

10.权利要求1的方法，其中所述含氮化硅的热化学气相沉积涂层是纯的或基本上纯的氮化硅。

11.权利要求1的方法，其中所述含氮化硅的热化学气相沉积涂层包括氧氮化硅。

12.权利要求1的方法，其中所述含氮化硅的热化学气相沉积涂层是官能化的。

13.权利要求1的方法，其还包括在所述含氮化硅的热化学气相沉积涂层上制备额外的含氮化硅的热化学气相沉积涂层。

14.权利要求13的方法，其中所述额外的含氮化硅的热化学气相沉积涂层具有第一厚度且所述含氮化硅的热化学气相沉积涂层具有第二厚度，第一厚度和第二厚度不同。

15.权利要求1的方法，其中所述表面是金属的或金属性的。

16.权利要求1的方法，其中所述表面至少具有被遮挡而无法看见的隐蔽部分。

17.通过权利要求1的方法制备的表面。

18.一种表面，其包含含氮化硅的热化学气相沉积涂层，其中所述表面至少具有被遮挡而无法看见的隐蔽部分。

19.一种制品，包含：

在腔室内的表面上的含氮化硅的热化学气相沉积涂层；

其中所述表面至少具有被遮挡而无法看见的隐蔽部分。