[发明专利]晶圆支撑结构,以及用于制造半导体的器件及其方法有效
申请号: | 201611157626.9 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107068608B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 马志宇;林逸启;潘正扬;骆家駉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 结构 以及 用于 制造 半导体 器件 及其 方法 | ||
本发明的实施例提供一种在半导体制造中的晶圆支撑结构、以及器件和用于制造半导体的方法。根据本发明的一些实施例,在半导体制造中的晶圆支撑结构包括透明环和至少两个臂。臂连接至透明环。
技术领域
本发明涉及半导体领域,具体地,涉及一种晶圆支撑结构,以及用于制造半导体的器件及其方法。
背景技术
半导体产业已经经历了指数式增长。集成电路,诸如微处理器、存储器以及其他高密度器件具有对外延生长硅晶圆的增加的需求。半导体制造需要精确控制制造工艺参数,以便减少操作和工艺变化并且提高晶圆的质量、性能和产量。
在半导体的制造工艺中,重要的步骤是晶圆温度控制。在制造工艺期间,晶元上不均匀的温度分布可能在不同的部分产生不同的化学反应率。因此,晶圆上的沉积速率差别可能导致不平坦的表面。这种不平坦的表面可能在随后的制造工艺中导致缺陷,诸如由于晶圆的不平坦表面导致的光刻工艺中的缺陷。
然而,用于制造半导体的现有器件的性能在先进的技术应用中仍然不尽人意。因此,不得不持续地改进用于制造半导体的器件以便获得更令人满意的半导体结构。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供一种在半导体制造中的晶圆支撑结构,包括:透明环;以及连接至透明环的至少两个臂。
根据本发明的另一方面,提供一种用于制造半导体的器件,包括:具有透明环的晶圆支撑结构;邻近晶圆支撑结构设置的加热源;以及传感器,传感器设置在晶圆支撑结构的透明环下方并且配置为允许通过透明环的感测。
根据本发明的又一方面,提供一种用于制造半导体的方法,该方法包括:在具有透明环的晶圆支撑结构上放置晶圆;以及感测来自晶圆的通过透明环的信号。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件没有按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意增加或减少。
图1A是根据一些实施例的晶圆支撑结构的三维视图。
图1B是根据一些实施例沿着图1A中的线A-A’截取的截面图。
图2A是根据一些实施例的晶圆支撑结构的三维视图。
图2B是根据一些实施例沿着图2A中的线B-B’截取的截面图。
图2C是根据一些实施例的晶圆支撑结构的截面图。
图3A是根据一些实施例的晶圆支撑结构的三维视图。
图3B是根据一些实施例沿着图3A中的线C-C’截取的截面图。
图3C是根据一些实施例的晶圆支撑结构的截面图。
图4A是根据一些实施例的晶圆支撑结构的三维视图。
图4B是根据一些实施例沿着图4A中的线D-D’截取的截面图。
图4C是根据一些实施例的晶圆支撑结构的截面图。
图4D是根据一些实施例的晶圆支撑结构的截面图。
图5A是根据一些实施例的晶圆支撑结构的三维视图。
图5B是根据一些实施例的晶圆支撑结构的顶视图。
图6是根据一些实施例的器件的截面图。
图7是根据一些实施例的器件的截面图。
图8是根据一些实施例的器件的截面图。
图9为例示根据一些实施例的用于制造半导体的方法的流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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