[发明专利]图像传感器以及形成图像传感器的方法

说明书

本公开提供了图像传感器以及形成图像传感器的方法。一种图像传感器包括滤色器层。图像传感器包括相邻于滤色器层的侧壁的金属结构。图像传感器包括在滤色器层上的绝缘层。而且，图像传感器包括在绝缘层上的电极层。

技术领域

本公开涉及图像传感器。

背景技术

获取图像并将图像转换成电信号的图像传感器不仅用于普通消费者的电子设备诸如数字相机、手机的照相机和便携式摄像机中，而且用于安装在汽车、安全系统和机器人中的照相机中。图像传感器包括光电二极管以提供小型化和高清晰度，这对于图像传感器会是有利的。

发明内容

所提供的是使用有机光电层的方法和图像传感器。

根据本发明构思的某些实施方式，一种图像传感器可以包括半导体基板，该半导体基板包括光电变换器。图像传感器可以包括在半导体基板上的滤色器层。图像传感器可以包括在半导体基板上且相邻于滤色器层的侧壁的金属结构。图像传感器可以包括在滤色器层上的绝缘层。而且，图像传感器可以包括在绝缘层上且通过绝缘层的开口连接到金属结构的透明电极层。

在某些实施方式中，图像传感器可以包括在滤色器层上的透明层。绝缘层可以在透明电极层和透明层的相应部分之间。而且，透明层的相应部分可以为第一部分，并且透明电极层可以通过绝缘层的开口接触透明层的第二部分。

根据某些实施方式，图像传感器可以包括在透明电极层上的有机光电层。绝缘层可以包括其朝向有机光电层突出的突出部分。绝缘层的突出部分可以包括与透明电极层的最上表面共平面的最上表面。而且，绝缘层的突出部分可以交叠滤色器层。

在某些实施方式中，金属结构可以包括钨部分和在钨部分上的铝部分。透明电极层可以接触铝部分。而且，金属结构的铝部分的侧壁可以朝向透明电极层渐缩。

根据某些实施方式，金属结构可以包括接触透明电极层的钨。另外地或可选地，绝缘层可以延伸到金属结构的一部分上，并且金属结构的第一宽度可以比开口的第二宽度宽，透明电极层通过该开口连接到金属结构。

在某些实施方式中，图像传感器可以包括在半导体基板中的金属接触。金属结构可以接触金属接触，并可以包括不同的第一金属材料和第二金属材料。第一金属材料可以接触金属接触。而且，第二金属材料可以在第一金属材料上，可以接触透明电极层，并可以比第一金属材料宽。

根据某些实施方式，第二金属材料可以在第一金属材料的相反的第一侧壁和第二侧壁上。金属接触和/或金属结构可以包括渐缩的宽度。

在某些实施方式中，滤色器层和光电变换器可以分别包括第一滤色器层和第一光电变换器。而且，图像传感器可以包括在第二光电变换器上的第二滤色器层。金属结构可以在第一滤色器层和第二滤色器层之间。图像传感器可以包括在第一滤色器层和绝缘层的第一部分之间以及在第二滤色器层和绝缘层的第二部分之间的透明有机层。

根据某些实施方式，透明有机层的表面可以与金属结构的接触透明电极层的表面共平面。另外地或可选地，图像传感器可以包括在透明电极层上的有机光电层。绝缘层的第二部分可以包括其突出部分，该突出部分朝向有机光电层突出并使透明电极层的在第一滤色器层上的第一部分与透明电极层的在第二滤色器层上的第二部分隔离。

在某些实施方式中，透明电极层可以通过绝缘层的开口接触透明有机层的一部分。另外地或可选地，绝缘层可以交叠金属结构的相反的第一侧壁和第二侧壁。

根据某些实施方式的图像传感器可以包括滤色器层。图像传感器可以包括相邻于滤色器层的侧壁的金属结构。图像传感器可以包括在滤色器层上的透明层。图像传感器可以包括在透明层上的绝缘层。而且，图像传感器可以包括在绝缘层上的电极层。绝缘层可以在电极层和透明层的相应部分之间。