[发明专利]图像传感器以及形成图像传感器的方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体基板，包括光电变换器；

滤色器层，在所述半导体基板上；

金属结构，在所述半导体基板上并相邻于所述滤色器层的侧壁；

绝缘层，在所述滤色器层上并具有贯穿所述绝缘层的开口；以及

透明电极层，在所述绝缘层的上表面上以及在所述绝缘层的所述开口的空间中并通过所述绝缘层的所述开口连接到所述金属结构，

其中所述金属结构没有形成在所述开口中。

2.如权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述滤色器层上的透明层，其中所述绝缘层在所述透明电极层和所述透明层的相应部分之间。

3.如权利要求2所述的图像传感器，

其中所述透明层的相应部分包括第一部分，并且

其中所述透明电极层通过所述绝缘层的所述开口接触所述透明层的第二部分。

4.如权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述透明电极层上的有机光电层，其中所述绝缘层包括其朝向所述有机光电层突出的突出部分。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中所述绝缘层的所述突出部分包括与所述透明电极层的最上表面共平面的最上表面，并且交叠所述滤色器层。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属结构包括：

钨部分；和

铝部分，在所述钨部分上，其中所述透明电极层接触所述铝部分。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其中所述金属结构的所述铝部分的侧壁朝向所述透明电极层渐缩。

8.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属结构包括钨并且接触所述透明电极层。

9.如权利要求1所述的图像传感器，

其中所述绝缘层延伸到所述金属结构的一部分上，并且

其中所述金属结构的第一宽度比所述开口的第二宽度宽，所述透明电极层通过该开口连接到所述金属结构。

10.如权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述半导体基板中的金属接触，其中：

所述金属结构接触所述金属接触；

所述金属结构包括不同的第一金属材料和第二金属材料；

所述第一金属材料接触所述金属接触；并且

所述第二金属材料在所述第一金属材料上、接触所述透明电极层并且比所述第一金属材料宽。

11.如权利要求10所述的图像传感器，

其中所述第二金属材料在所述第一金属材料的相反的第一侧壁和第二侧壁上，并且

其中所述金属接触和/或所述金属结构包括渐缩的宽度。

12.如权利要求1所述的图像传感器，其中：

所述滤色器层和所述光电变换器分别包括第一滤色器层和第一光电变换器；

所述图像传感器还包括在第二光电变换器上的第二滤色器层；

所述金属结构在所述第一滤色器层和所述第二滤色器层之间；并且

所述图像传感器还包括在所述第一滤色器层和所述绝缘层的第一部分之间以及在所述第二滤色器层和所述绝缘层的第二部分之间的透明有机层。

13.如权利要求12所述的图像传感器，其中所述透明有机层的表面与所述金属结构的接触所述透明电极层的表面共平面。

14.如权利要求12所述的图像传感器，还包括在所述透明电极层上的有机光电层，其中所述绝缘层的所述第二部分包括其突出部分，所述突出部分朝向所述有机光电层突出并使所述透明电极层的在所述第一滤色器层上的第一部分与所述透明电极层的在所述第二滤色器层上的第二部分隔离。