[发明专利]金属氧化物改性QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物改性QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其特征在于，所述空穴注入层、电子传输层为IA族元素掺杂的金属氧化物，其中，所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.01-0.15)：1；所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.5-0.8)：1，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

2.如权利要求1所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由n层膜层组成，沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层…第N-1膜层、第N膜层，各膜层中所述IA族元素的掺杂比例固定，且从所述第一膜层到所述第N膜层，所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低。

3.如权利要求1所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由n层膜层组成，沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层…第N-1膜层、第N膜层，从所述第一膜层到所述第N膜层，所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；

沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向，单独的各膜层中所述IA族元素的掺杂比例也逐渐降低，且所述第N-1膜层中所述IA族元素的最小掺杂比例≥所述第N膜层中所述IA族元素的最大掺杂比例。

4.如权利要求2或3所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由5层厚度相同的膜层组成，且沿着所述底电极往所述量子点发光层的方向依次命名为第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层、第五膜层，其中，

所述第一膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.15-0.13)：1；

所述第二膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.13-0.11)：1；

所述第三膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.11-0.08)：1；

所述第四膜层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属元素的原子摩尔比为(0.08-0.03)：1；

所述第五膜层中，不掺杂IA族元素。

5.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述电子传输层中所述IA族元素的掺杂比例固定。

6.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层、所述电子传输层采用所述IA族元素的叠氮化物与所述金属氧化物共蒸镀制成。

7.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层、所述电子传输层采用相同的金属氧化物。

8.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10-20nm；和/或

所述电子传输层的厚度为20-40nm。

9.如权利要求1-3任一所述的金属氧化物改性QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层中，IA族元素掺杂的金属氧化物中的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜中的至少一种；和/或

所述电子传输层中，IA族元素掺杂的金属氧化物中的金属氧化物选自氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铜中的至少一种。

10.一种金属氧化物改性QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上沉积底电极；

采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述底电极上沉积空穴注入层，且使得所述空穴注入层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.01-0.15)：1，且沿着所述底电极往量子点发光层的方向，所述空穴注入层中所述IA族元素的掺杂比例逐渐降低；

在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层；

采用真空沉积的方法，沉积IA族元素掺杂的金属氧化物，在所述量子点发光层沉积电子传输层，且使得所述电子传输层中，所述IA族元素与所述金属氧化物中金属原子的摩尔比为(0.5-0.8)：1；

在所述电子传输层上沉积顶电极。