[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，

包括：

冲洗工序，向形成有微细图案且被基板保持单元保持为水平姿势的基板的上表面供给冲洗液；

有机溶媒供给工序，向温度为有机溶媒的沸点以下的所述基板的上表面供给有机溶媒，由此在所述基板的上表面形成充满所述微细图案的间隙的所述有机溶媒的液膜，来将附着于所述基板的上表面的冲洗液置换为所述有机溶媒，其中，所述有机溶媒是表面张力比所述冲洗液的表面张力小的规定的液体；

高温保持工序，使所述基板的上表面保持比所述有机溶媒的沸点高的规定的高温，使所述有机溶媒的所述液膜浮起在所述微细图案的上方，由此在所述基板的包括所述微细图案的间隙的整个上表面形成所述有机溶媒的气相膜，并且在该气相膜的上方形成所述有机溶媒的液膜；以及

有机溶媒排除工序，从所述基板的上表面排除所述有机溶媒的液膜。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述高温保持工序结束之前，开始执行所述有机溶媒排除工序。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述高温保持工序中的基板的上表面的温度设定为能够防止在所述高温保持工序中所述有机溶媒的液膜沸腾的温度。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述规定的高温比所述有机溶媒的沸点高10℃～50℃。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述高温保持工序中的基板的温度以及所述高温保持工序的执行时间中的至少一个设定为：所述有机溶媒的气相膜所包括的气相的有机溶媒不会撞破所述有机溶媒的液膜而到达该液膜之上的温度以及执行时间。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述高温保持工序中的所述有机溶媒的液膜的膜厚设定为在所述高温保持工序中所述有机溶媒的液膜不会分裂的厚度。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述高温保持工序中的所述有机溶媒的液膜的膜厚设定为在所述基板的中心处为1mm～5mm。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述高温保持工序中，一边使被所述基板保持单元保持的基板旋转，一边使所述基板的上表面保持所述规定的高温，

所述高温保持工序中的所述基板的转速设定为10rpm～500rpm。

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述高温保持工序中，一边使被所述基板保持单元保持的基板旋转，一边使所述基板的上表面保持所述规定的高温，

所述高温保持工序中的所述基板的转速设定为0或低于20rpm的低速。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述高温保持工序中，向所述有机溶媒的液膜增加所述有机溶媒。

11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在被所述基板保持单元保持的基板的上表面的温度低于所述有机溶媒的沸点时，执行所述有机溶媒供给工序。

12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述高温保持工序还包括所述基板保持单元所保持的基板被配置在该基板的下方的加热器加热的工序。

13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述有机溶媒排除工序之后，还包括使被所述基板保持单元保持的基板旋转来使该基板干燥的旋转干燥工序。

14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述有机溶媒排除工序包括一边使被所述基板保持单元保持的基板旋转一边朝向该基板的上表面的旋转中心喷出气体的工序。