[发明专利]晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201580069413.8 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107112227B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 东海林慎也;石井诚人;梅津一之;杉浦淳二 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆组 制造 装置 方法 | ||
1.一种晶圆组，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的所述晶圆都具有定位平面，即OF，其中，
所述晶圆组由70张以上的所述晶圆构成，
在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内，所述晶圆组的OF方位精度的标准偏差在0.0015以下，
对于构成所述晶圆组的各晶圆而言，在将从接近所述铸锭的一端的一侧按顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，所述曲线图的丧失连续性的部分的数量是所述晶圆组的所述晶圆的总张数加上该部分的数量而得到的值的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据所述曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下。
2.根据权利要求1所述的晶圆组，其中，
所述晶圆是具有劈开性的半导体晶圆。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆组，其中，
构成所述OF的面是(011)、(0－1－1)、(0－11)及(01－1)中的任一者。
4.一种晶圆组，该晶圆组由多个晶圆构成，而且所有的所述晶圆都具有定位平面，即OF，其中，
所述晶圆组由30张以上的所述晶圆构成，
对于构成所述晶圆组的各晶圆而言，在将按照各晶圆内的预定的元素的从低浓度到高浓度的顺序标注的各晶圆的编号设为X轴、将各晶圆内的预定的元素的浓度设为Y轴时形成的曲线图中，所述曲线图的丧失连续性的部分的数量是所述晶圆组的所述晶圆的总张数的10％以下的数量，而且与任意编号的晶圆相比下一个编号的晶圆的预定的元素的浓度的增减值是根据所述曲线图的连续性设想的增减值的3倍以下，
在用角度表示的所述晶圆组的OF方位精度中，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
