[实用新型]半导体装置和电子设备有效
申请号: | 201520161256.0 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN204632750U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 入江康元;大美贺孝 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍;田勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体元件、第一内引线、导线、利用树脂对所述第一内引线和所述导线进行密封的树脂密封体、用于对所述导线与所述半导体元件进行接合的第一接合部以及用于对所述导线与所述第一内引线进行接合的第二接合部,
其特征在于,
所述第一内引线从所述树脂密封体的端部向半导体装置的内部延伸,且所述第一内引线的长度大于预先设定的阈值,
所述第二接合部包括球状突起,所述导线通过所述第二接合部的所述球状突起与所述第一内引线接合。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还包括:第二内引线;所述第二内引线的长度小于或等于所述阈值。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述导线以及所述球状突起由金或者金合金构成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述导线与所述第一内引线在所述第二接合部中的接合位置偏离所述球状突起的中心。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特性在于,
所述半导体元件是绝缘栅双极型晶体管。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一内引线由铜或铜合金构成,或者在铜或铜合金上镀银而构成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述树脂是热固性环氧树脂。
8.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至7中任一项所述的半导体装置。
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