[发明专利]重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法

权利要求书

1.一种重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于包括如下步骤：

1）固定衬底外延生长时单片外延生长系统的温度和TCS流量；

2）在衬底外延生长时，CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工艺；

3）在外延层生长时，改变单片外延生长系统中的VENT压力，使VENT压力大于或小于系统的chamber压力，调节外延层过渡区的陡峭程度。

2.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于所述方法还包括：

外延生长前，对单片外延生长系统进行腐蚀和基座包硅处理的步骤，以及对衬底表面进行前抛光HCL处理，去除衬底表面残留的局部缺陷和S_iO₂的步骤。

3.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于所述方法还包括如下步骤：

通过调整VENT压力，改变外延层过渡区的陡峭程度，并分别对相应的外延片进行扩展电阻剖面分析，使用四探针和生长速率共同监控重掺PH衬底低压MOS用外延片的过渡区的陡峭程度，使得外延层过渡区的陡峭程度与实际器件的要求匹配。

4.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：采用ASME2000型单片外延生长系统，红外线灯阵列辐射加热，高纯石墨基座为衬底载体，保护气为超高纯H2气，纯度达到99.999999%以上。

5.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：使用8英寸重掺PH衬底，晶向<100>，电阻率0.001-0.0015ohm.cm，supersealing背封工艺。

6.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：固定单片外延生长系统的生长温度为1135℃，并固定TCS流量为7g/min。

7.如权利要求2所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：外延生长前，对单片外延生长系统进行充分去除自掺处理，在1190℃温度下，通入大流量HCL气体20slm/min，腐蚀掉残留的Si，并腐蚀基座上残留的Si时，H₂流量设定为10slm/min，腐蚀钟罩内壁上残留的Si时，加大H2流量至60slm/min。

8.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：在cap层生长与外延层生长之间进行一段时间的H₂吹扫赶气。

9.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：在外延生长时，保持单片外延生长系统中chamber的压力为790torr不变，将系统中VENT压力，按照两个方向进行调整，一：将VENT压力调低，低至与环境压力相同，即760torr，二：将VENT压力调高，根据ASM系统，最高调整至840torr。

10.如权利要求1所述的重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，其特征在于：VENT压力的调整范围为760torr-840torr。