[发明专利]一种制作镍硅化物的方法有效
| 申请号： | 201510367130.3 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104952800B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 镍硅化物 方法 | ||
1.一种制作镍硅化物的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一形成有NMOS和PMOS的半导体衬底，沉积一SiN层作为金属硅化物阻挡层，并选择性地去除PMOS上需要形成金属硅化物区域的SiN，即去除PMOS栅极和源/漏区域的SiN，保留NMOS上的SiN层；
步骤S02：依次沉积一第一NiPt层和压应力第一TiN层，并选择性地去除NMOS上的第一TiN层、第一NiPt层，随后，选择性地去除NMOS上需要形成金属硅化物区域的SiN；
步骤S03：沉积一第二NiPt层和拉应力第二TiN层，并选择性地去除PMOS上的第二TiN层、第二NiPt层；
步骤S04：进行第一次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物；
步骤S05：去除第一、第二TiN层以及没有反应的第一、第二NiPt层；
步骤S06：进行第二次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第二镍硅化物。
2.根据权利要求1所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一镍硅化物为Ni2Si，所述第二镍硅化物为NiSi。
3.根据权利要求1所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt层中Pt的含量范围分别为0～15％。
4.根据权利要求3所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt层中Pt的含量不同。
5.根据权利要求4所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第二NiPt层中Pt的含量大于第一NiPt层中Pt的含量。
6.根据权利要求1、3、4或5所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt层的厚度范围为30～300埃。
7.根据权利要求6所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt层的厚度不同。
8.根据权利要求1所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二TiN层的厚度范围为20～300埃。
9.根据权利要求8所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二TiN层的厚度不同。
10.根据权利要求1所述的制作镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一次退火温度为200～350℃，第二次退火温度为350～550℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
