[实用新型]晶圆的切割道结构有效
申请号: | 201420241890.0 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN203895446U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 尹晶磊 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 结构 | ||
1.一种晶圆的切割道结构,其特征在于,所述切割道结构包括用于切割的第一区以及用于提高金属图案密度的第二区,其中,所述第一区内的金属图案密度小于等于10%,所述第二区内的金属图案密度大于等于20%。
2.如权利要求1所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述切割道结构包括一个所述第一区和两个所述第二区,所述第一区的两侧各设置一个所述第二区。
3.如权利要求2所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述第二区内的金属图案密度由远离所述第一区的一侧向靠近所述第一区的一侧递减。
4.如权利要求2所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,两个所述第二区的宽度相同。
5.如权利要求1所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述切割道结构的宽度为60μm~90μm。
6.如权利要求1所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述切割道结构采用激光进行切割,所述第一区的宽度大于等于所述激光的照射宽度。
7.如权利要求6所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述第一区的宽度为K1,所述激光的照射宽度为K2,其中,1μm≤K1-K2≤3μm。
8.如权利要求1所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述第二区内包括若干虚拟金属图案。
9.如权利要求8所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述虚拟金属图案为方形,所述方形的边长为0.5μm~2μm。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述第一区内的金属图案密度为0%。
11.如权利要求1-9中任意一项所述的晶圆的切割道结构,其特征在于,所述第二区内的金属图案密度为40%~50%。
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