[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法

说明书

技术领域

本申请涉及多晶硅薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极管，具有自发光、广色域、高对比度、响应快和可柔性显示等优点，被认为是TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器)的理想替代者。现有的商业化AMOLED产品主要应用于智能手机，采用LTPS TFT(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor，低温多晶硅薄膜场效应晶体管)背板驱动。其中，低温多晶硅技术是在低于600℃的温度下，在基板上生成多晶硅薄膜的工艺，具有薄膜电流面积较小和功耗较低等优点。

由于多晶硅的晶粒大小不一以及晶界的存在，经过黄光制程和电极沉积等工序所制备的TFT的电学性能不同，使得AMOLED的每个子像素(subpixel)必须使用“M个薄膜晶体管+N个电容”(M≥5，N≥1)，如6个薄膜晶体管+2个电容(6T+2C)，来制作驱动电路。其中，黄光制程是通过对涂覆在基板表面的光刻胶进行曝光，显影后留下的部分对底层起保护作用，再进行蚀刻、脱模，最终获得永久性图形的过程。

上述现有技术不仅对黄光制程包括曝光机、刻蚀机和显影机等提出了很高的要求，还会降低整个薄膜场效应晶体管阵列(TFT array)的良率，不利于应用。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法，本申请提供的低温多晶硅薄膜晶体管能避免多晶硅晶界对载流子迁移率的不利影响，实现较简单的像素电路驱动结构。

本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：

基板；

设置在在所述基板上的导热层，所述导热层具有若干个条形凸起；

设置在所述导热层上的平坦化层；

设置在所述平坦化层上的有源层，所述有源层由低温多晶硅薄膜施加黄光制程形成，所述有源层具有若干个活性沟道；

设置在所述有源层上的栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极；

每个所述条形凸起的所在位置在相应的每个所述活性沟道的所在位置的一侧之外，且两个位置相邻；

每个所述条形凸起的长度大于相应的每个所述活性沟道的宽度。

优选的，每个所述条形凸起的所在位置位于每个所述活性沟道的所在位置的右侧。

优选的，每个所述条形凸起的所在位置位于每个所述活性沟道的所在位置的左侧。

优选的，每个所述条形凸起的宽度为0.1μm～3μm。

优选的，所述导热层的厚度为≥所述平坦化层的厚度≥

优选的，每个所述条形凸起的厚度≥

优选的，所述导热层的制作材料为碳化硅、氮化铝或氧化铝。

优选的，所述平坦化层的制作材料为氧化硅和有机材料中的一种或几种；

所述基板为玻璃基板、石英基板、聚酰亚胺基板或不锈钢基板。