[发明专利]一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法

权利要求书

1.一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：包括反应釜体（1）、N₂输入通道（51）、N₂输入通道阀门（61）、坩埚（9）和N₂供应装置，所述N₂通过N₂输入通道（51）和N₂输入通道阀门（61）通入所述反应釜体（1）内的反应室N₂区域（2），所述反应室N₂区域（2）通过所述N₂供应装置与所述坩埚（9）内的反应室Ga-Na溶液区域（3）连通；所述N₂供应装置包括N₂循环通道（52）、N₂循环通道阀门（62）、N₂循环通道高位分阀门（63）、N₂循环通道低位分阀门（64）、高位加压装置（71）、低位加压装置（72）、高位供N₂终端口（81）和低位供N₂终端口（82）；所述N₂循环通道（52）的一端与所述反应室N₂区域（2）连通，所述N₂循环通道（52）的另一端通过所述高位供N₂终端口（81）、低位供N终端口（82）与所述反应室Ga-Na溶液区域（3）连通；所述N₂循环通道高位分阀门（63）、高位加压装置（71）控制所述高位供N₂终端口（81）的流通，所述N₂循环通道低位分阀门（64）、低位加压装置（72）控制所述低位供N₂终端口（82）的流通。

2.根据权利要求1所述的一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：所述N₂供应装置为内置式N₂供应装置或者外置式N₂供应装置。

3.根据权利要求1所述的一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：所述坩埚（9）内设置有晶种模版（4），所述晶种模版（4）水平设置或者垂直设置。

4.根据权利要求3所述的一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：所述晶种模版（4）的数量为多个，所述晶种模版（4）的位置呈高低分布。

5.根据权利要求1所述的一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：所述高位供N₂终端口（81）和低位供N₂终端口（82）设置于所述坩埚（9）的底部或侧壁。

6.根据权利要求1所述的一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：所述高位加压装置（71）、低位加压装置（72）、N₂循环通道（52）的材质为具有抗氧化、耐应力和耐高温的材料。

7.根据权利要求1所述的一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置，其特征在于：所述N₂循环通道阀门（62）、N₂循环通道高位分阀门（63）、N₂循环通道低位分阀门（64）、高位供N₂终端口（81）与低位供N₂终端口（82）的材质为具有抗氧化、耐高温和抗硫化的材料。