[发明专利]互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成含碳的扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成含碳的粘附层；

在所述粘附层上形成不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层；

在层间介质层中形成导电插塞；

其中，所述粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，所述粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成粘附层的步骤包括，依次在所述扩散阻挡层上形成第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层，所述第一掺氧碳化硅层的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层的碳含量。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成粘附层的步骤还包括，在所述第二掺氧碳化硅层上形成含碳氧化硅层。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第一掺氧碳化硅层的步骤包括，形成碳含量在10％～30％范围内的第一掺氧碳化硅层。

5.如权利要求2或4所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括，形成碳含量在0.01％～10％范围内的第二掺氧碳化硅层。

6.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成粘附层的步骤包括：形成K值在3.2～3.6范围内的第一掺氧碳化硅层。

7.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第一掺氧碳化硅层的步骤包括：

采用化学气相沉积的方式形成所述第一掺氧碳化硅层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方式形成所述第一掺氧碳化硅层的步骤包括：形成所述第一掺氧碳化硅层的反应气体包含四甲基硅烷气体以及二氧化碳。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述反应气体中还包含三甲基硅烷、二甲基硅烷以及一甲基硅烷中的一种或者多种。

10.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：形成K值在4.3～4.6范围内的第二掺氧碳化硅层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：采用化学气相沉积的方式形成所述第二掺氧碳化硅层。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方式形成第二掺氧碳化硅层的步骤包括：形成所述第二掺氧碳化硅层的反应气体包含硅烷以及二氧化碳。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成扩散阻挡层的步骤包括，形成掺氮碳化物材料的扩散阻挡层。

14.一种互连结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上含碳的扩散阻挡层；

位于所述扩散阻挡层上含碳的粘附层；

位于所述粘附层上不含碳或者碳含量小于扩散阻挡层的层间介质层，所述层间介质层中具有导电插塞；

其中，所述粘附层靠扩散阻挡层的区域碳含量小于或等于扩散阻挡层的碳含量，所述粘附层靠层间介质层的区域碳含量大于或等于层间介质层的碳含量。

15.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述含碳的扩散阻挡层为掺氮碳化物材料的扩散阻挡层。

16.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，在所述层间介质层与粘附层之间还设有含碳氧化硅层。

17.如权利要求14所述的互连结构，其特征在于，所述粘附层包括第一掺氧碳化硅层以及第二掺氧碳化硅层；所述第一掺氧碳化硅层中的碳含量低于所述第二掺氧碳化硅层中的碳含量。

18.如权利要求17所述的互连结构，其特征在于，所述第一掺氧碳化硅层的碳含量在10％～30％的范围内。

19.如权利要求17或18所述的互连结构，其特征在于，所述第二掺氧碳化硅层的碳含量在0.01％～10％的范围内。