[发明专利]一种具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板及其加工方法

权利要求书

1.一种具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板，其特征在于，包括：

单晶硅衬底(1)；

绝热沟槽(2)，形成于所述单晶硅衬底(1)的上表面且具有一定深度，所述绝热沟槽(2)包括一组或多组沟槽，其中每组沟槽包括多个平行排列的沟槽；

下绝缘层(3)，覆盖所述单晶硅衬底(1)的上表面；

加热层(4)，设置于所述下绝缘层(3)的上表面，且所述加热层(4)位于所述绝热沟槽(2)的正上方区域内；

上绝缘层(5)，覆盖所述加热层(4)的上表面。

2.如权利要求1所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述绝热沟槽(2)包括两组相交的直线状沟槽，每组沟槽包括多个相互平行的沟槽。

3.如权利要求1所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述绝热沟槽(2)包括多个由外向内渐变缩小的回状沟槽。

4.如权利要求1-3中任意一项权利要求所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述绝热沟槽(2)的沟槽深度为20-100μm，宽度为300-1000nm，每组沟槽的间距为1-5μm。

5.如权利要求1-3中任意一项权利要求所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板，其特征在于，所述绝热沟槽(2)的表面形成有二氧化硅薄膜(21)，且所述二氧化硅薄膜(21)的厚度为100-500nm。

6.一种具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在单晶硅衬底的上表面制备绝热沟槽；

S2、在具有所述绝热沟槽的单晶硅衬底的上表面制备下绝缘层；

S3、在制备好的下绝缘层的上表面制备加热层，所述加热层位于所述绝热沟槽的正上方区域内；

S4、在制备好的加热层的上表面，按照步骤S2的方法制备上绝缘层。

7.如权利要求6所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S1中制备得到的所述绝热沟槽包括两组相交的直线状沟槽，每组沟槽包括多个相互平行的沟槽。

8.如权利要求6所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S1中制备得到的所述绝热沟槽包括多个由外向内渐变缩小的回状沟槽。

9.如权利要求6-8中任意一项权利要求所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S1中的制备所述绝热沟槽的方法为干法刻蚀，且所述绝热沟槽的沟槽深度为20-100μm，宽度为300-1000nm，沟槽间距为1-5μm。

10.如权利要求6-8中任意一项权利要求所述的具有绝热沟槽的MEMS硅基微热板的加工方法，其特征在于，所述步骤S1步骤之后，还包括：在制备好的绝热沟槽的表面制备厚度为100-500nm的二氧化硅薄膜。