[发明专利]一种投射式电容屏及其制作方法在审
申请号: | 201410291241.6 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104049824A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 向火平 | 申请(专利权)人: | 向火平 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 张秋红 |
地址: | 518102 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 投射 电容 及其 制作方法 | ||
1.一种投射式电容屏,其特征在于:包括第一基板(1)、第二基板(2)、设置于所述第一基板(1)上的第一ITO层(3)以及设置于所述第二基板(2)的第二ITO层(4),所述第一ITO层(3)与所述第二ITO层(4)之间通过光学胶(6)粘接;所述第一ITO层(3)包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层,所述第二ITO层(4)包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层,所述投射式电容屏还包括设置于所述第一ITO层(3)上的金属导线层(5);所述金属导线层(5)包括与所述X轴电极层相连的X金属线和与所述Y轴电极层相连的Y金属线;所述X金属线与所述Y金属线独立分开设置在所述X轴电极层边缘,且分别与柔性线路板相连。
2. 根据权利要求1所述的投射式电容屏,其特征在于:所述Y轴电极层与所述Y金属线通过异方性导电胶(7)绑定连接。
3. 根据权利要求1所述的投射式电容屏,其特征在于:所述第一基板(1)与第一ITO层(3)之间、所述第二基板(2)与第二ITO层(4)之间均设有用于消除光折射率的消影层(8)。
4. 根据权利要求1所述的投射式电容屏,其特征在于:所述第一基板(1)的边缘上设有用于隐藏所述金属导线层(5)的边框防护层(9)。
5.一种权利要求1~4所述的投射式电容屏的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
S2:在第一基板(1)上制作第一ITO层(3)和金属导线层(5);所述第一ITO层(3)包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层,所述金属导线层(5)包括设置于所述X轴电极层边缘的独立分开设置的X金属线和Y金属线,所述X金属线与所述X电极层电连接;
S4:在第二基板(2)上制作第二ITO层(4),所述第二ITO层(4)包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层;
S6:将光学胶(6)粘接在所述第一ITO层(3)上;并将所述第二ITO层(4)压合至所述光学胶(6)上;将所述Y金属线与所述Y轴电极层电连接,将所述X金属线和所述Y金属线分别连接至柔性线路板上,以完成投射式电容屏的制作。
6.根据权利要求5所述的投射式电容屏的制作方法,其特征在于:步骤S2之前还包括步骤S0:在所述第一基板(1)上制作边框防护层(9)及消影层(8),在所述第二基板(2)上制作消影层(8);所述步骤S0包括:
S01:在第一基板(1)的边缘上采用丝印工艺或黄光工艺制作边框防护层(9);
S02:在所述第一基板(1)和所述第二基板(2)上分别制作用于消除光折射率的消影层(8);所述步骤S02包括步骤:
S021:对所述第一基板(1)和所述第二基板(2)进行清洗并热烘干燥;
S022:在真空条件下,在所述第一基板(1)和所述第二基板(2)的一面采用溅射方式镀五氧化二铌或者氮氧化硅;
S023:在真空条件下,在镀有五氧化二铌或者氮氧化硅的一面采用溅射方式镀二氧化硅,以完成消影层(8)的制作。
7.根据权利要求5所述的投射式电容屏的制作方法,其特征在于:所述步骤S2包括:
S21:在真空条件下,采用溅射方式在第一基板(1)上镀氧化铟锡层;
S22:在真空条件下,采用溅射方式在镀有氧化铟锡层的一面镀上一层金属层,所述金属层设置在边框防护层(9)上;
S23:在所述金属层上采用覆膜方式覆上干膜,使用光罩曝光金属导线层(5)的图案,所述金属导线层(5)包括独立分开设置的X金属线和Y金属线;
S24:使用显影剂将曝光的X金属线和Y金属线显影,并使用不与干膜反应的退镀液退镀金属层;
S25:在退镀金属层的第一基板(1)上采用覆膜方式覆上干膜,使用光罩曝光由若干X轴方向电极形成X轴电极层的图案;所述X轴电极层与所述X金属线相连;
S26:使用显影剂将X轴电极层的图案显影,采用蚀刻液对氧化铟锡层进行蚀刻;
S27:采用去墨液将干膜去除,清洗并干燥,以制得X轴电极层。
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