[发明专利]发光器件以及照明系统有效
| 申请号： | 201410273114.3 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241467B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 崔恩实;金东旭 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 以及 照明 系统 | ||
1.一种发光器件，包括：
第一导电型半导体层；
在所述第一导电型半导体层上的InxGa1-xN层，其中，0＜x≤1；
在所述InxGa1-xN层上的GaN层；
在所述GaN层上的第一Aly1Ga1-y1N层，其中，0＜y1≤1；
在所述第一Aly1Ga1-y1N层上的有源层；以及
在所述有源层上的第二导电型半导体层，
介于所述第一Aly1Ga1-y1N层与所述有源层之间的GaN基超晶格层，所述GaN基超晶格层包括设置在所述第一导电型半导体层上的第二组GaN基超晶格层，
所述GaN基超晶格层还包括设置在所述第二组GaN基超晶格层上的第三组GaN基超晶格层，
其中所述第三组GaN基超晶格层包括第三组阱和第三组势垒，
其中所述第三组势垒的厚度厚于其他组的势垒和阱的厚度，所述第三组势垒掺杂有第一导电元素以改进电子注入效率。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述InxGa1-xN层中包含的铟的浓度为2％至15％。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述GaN层的带隙能量高于所述InxGa1-xN层的带隙能量。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述GaN层的带隙能量低于所述第一Aly1Ga1-y1N层的带隙能量。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述InxGa1-xN层的带隙能量高于所述有源层的量子阱的带隙能量。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一Aly1Ga1-y1N层的带隙能量高于所述有源层的量子势垒的带隙能量。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，还包括介于所述第一Aly1Ga1-y1N层与所述有源层之间的第二Aly2Ga1-y2N层，其中，0＜y2≤1。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二Aly2Ga1-y2N层的带隙能量高于所述第一Aly1Ga1-y1N层的带隙能量。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，还包括第二浓度第一导电型半导体层，所述第二浓度第一导电型半导体层介于所述第一导电型半导体层与所述InxGa1-xN层之间，并且所述第二浓度第一导电型半导体层具有相比所述第一导电型半导体层的第一导电型浓度水平更高的第一导电型浓度水平。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二浓度第一导电型半导体层的带隙能量高于所述InxGa1-xN层的带隙能量。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述GaN基超晶格层具有在从所述第一导电型半导体层朝向所述有源层的方向上减小的带隙能级。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述GaN基超晶格层还包括：具有第一带隙能量的第一组GaN基超晶格层；以及所述第二组GaN基超晶格层具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中
所述第三组GaN基超晶格层具有第三带隙能量，所述第三带隙能量等于所述第二带隙能量。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第三组GaN基超晶格层的所述第三组阱的厚度薄于所述第三组势垒的厚度。
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