[发明专利]一种阵列基板、制作方法及显示装置有效
申请号: | 201410120715.0 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103915450B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 周纪登 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及到显示装置的技术领域,尤其涉及到一种阵列基板、制作方法及显示装置。
背景技术
在阵列基板的阵列基板上,至少有8~10层金属或绝缘层,正是这些金属层和绝缘层保证了阵列基板上的TFT功能正常运作,控制阵列基板按照既定的输入信号显示。为了能使同一层金属,或不同层金属联通,TFT-LCD的阵列基板上需要大量的过孔,有的过孔起到上下金属层导通的作用,有的过孔起到桥梁导通同一层金属的作用。因此在阵列基板的结构设计中,过孔的结构设计非常重要。提高过孔的连接效率,减少过孔的数量,不仅可以起到增加阵列基板开口率的作用,还可以节约阵列基板外围的空间,对窄边框的实现也起到一定的作用。
现有技术中的阵列基板上的第一栅极引线和第二栅极引线连接方式如图1和图2所示,附图1示出了现有技术中的阵列基板中第二栅极引线与第一栅极引线之间的过孔,其中1代表第一栅极引线;2代表第一栅极引线保护层;3代表第二栅极引线;4代表绝缘层;5代表透明导电层;6-1代表第一栅极引线过孔;6-2代表第二栅极引线过孔。从附图2中可以发现第一栅极引线1和第二栅极引线3并不属于同一层,两者之间有第一栅极引线保护层2,而第二栅极引线3上面又有绝缘层。为了使第一栅极引线1和第二栅极引线3导通,传统的过孔设计是分别在第一栅极引线1上方和第二栅极引线3上方设计过孔,将第一栅极引线1金属和第二栅极引线3金属在各自的过孔中裸露出来,最后通过透明导电层5将第一栅极引线1过孔6-1和第二栅极引线3过孔6-2连接起来。本申请人发现,现有技术中采用两个过孔(6-1,6-2)连通第一栅极引线1和第二栅极引线3,造成第一栅极引线1的宽度较大,使得非像素区域的面积较大,进而影响到显示装置的开口率,降低了显示装置的显示效果。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板制作方法及显示装置,用以提高显示装置的开口率,进而提高显示装置的显示效果。
本发明提供了一种阵列基板,该阵列基板包括:设置在阵列基板周边区域的第一栅极引线、第二栅极引线以及位于所述第一栅极引线和第二栅极引线之间的栅极绝缘层,还包括多个刻蚀至所述第一栅极引线上的过孔,其中,每个过孔至少部分穿过所述第二栅极引线,且每个过孔内设置有导通所述第一栅极引线和第二栅极引线的第一透明导电层。
在上述技术方案中,通过改变过孔的设置位置,使得在同一个过孔内设置的第一透明导电层能够将第一栅极引线和第二栅极引线导通,从而减少了过孔的横向个数,进而减小了第一栅极引线的宽度,从而提高了显示装置的开口率,进而提高了显示装置的显示效果。
优选的,所述过孔为圆形孔、多边形孔或异形孔。该过孔可以选择不同的形状。
优选的,所述多个过孔沿所述第一栅极引线的长度方向单排排列。进一步的减小了第一栅极引线的宽度,提高了显示装置的开口率,进而提高了显示装置的显示效果。
优选的,还包括设置于所述第二栅极引线上方的绝缘层,所述过孔穿过所述绝缘层。通过绝缘层保护第二栅极引线。
优选的,还包括设置于所述绝缘层和所述第二栅极引线之间的有机膜,所述有机膜上设置有与所述过孔轴线相同的通孔,且所述过孔的直径不大于所述通孔的直径。通过有机膜降低了第二栅极引线的负载,提高了显示装置的响应速度。
优选的,所述过孔的直径小于所述通孔的直径。改善了过孔内曝光的效果,便于后续第一透明导电层设置后连通第一栅极引线和第二栅极引线的效果。
本发明还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述任一种所述的阵列基板。
在上述技术方案中,通过改变过孔的设置位置,使得在同一个过孔内设置的第一透明导电层能够将第一栅极引线和第二栅极引线导通,从而减少了过孔的横向个数,进而减小了第一栅极引线的宽度,从而提高了显示装置的开口率,进而提高了显示装置的显示效果。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,该方法包括以下步骤:
在层叠的第二栅极引线和栅极绝缘层上刻蚀至少一个部分穿过第二栅极引线的过孔,该过孔刻蚀至第一栅极引线;
在每个过孔内形成连通第一栅极引线和第二栅极引线的第一透明导电层。
通过上述生产方法生产出的阵列基板,减少了过孔的横向个数,进而减小了第一栅极引线的宽度,从而提高了显示装置的开口率,进而提高了显示装置的显示效果。
优选的,在形成所述过孔之后且形成第一透明导电层之前,还包括:
在第二栅极引线上形成有机膜,并在所述有机膜上形成与所述过孔连通的通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的