[发明专利]MOS器件的STI应力效应建模方法及装置

权利要求书

1.一种MOS器件的STI应力效应建模方法，其特征在于，包括：

在BSIM4的模型参数中引入影响MOS器件的STI应力效应的温度参数，建立所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数；

根据无STI应力时的MOS器件的输出特性以及转移特性，提取常温状态下MOS器件的模型参数Model1；

以模型参数Model1为基础，提取常温状态下STI应力对MOS器件性能影响的参数，提取后的模型参数标记为Model2；

以模型参数Model2为基础，提取非常温状态下所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数。

2.如权利要求1所述的MOS器件的STI应力效应建模方法，其特征在于：

当无STI应力时，所述MOS器件的源端有源区宽度、源端有源区基准宽度、漏端有源区宽度与漏端有源区基准宽度均相等。

3.如权利要求1所述的MOS器件的STI应力效应建模方法，其特征在于，所述以模型参数Model1为基础，提取常温状态下STI应力对MOS器件性能影响的参数，提取后的模型参数标记为Model2的具体步骤包括：

获取不同的源端有源区宽度及漏端有源区宽度的MOS器件的输出特性以及转移特性；

根据获取的所述MOS器件的输出特性、转移特性及模型参数Model1，提取常温状态下STI应力对MOS器件性能影响的参数，提取后的模型参数标记为Model2。

4.如权利要求1所述的MOS器件的STI应力效应建模方法，其特征在于，所述以模型参数Model2为基础，提取非常温状态下所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数的具体步骤包括：

获取非常温状态下不同的源端有源区宽度及漏端有源区宽度的MOS器件的输出特性以及转移特性；

根据获取的所述MOS器件的输出特性、转移特性及模型参数Model2，提取所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数kua1和kub1，获得最终模型参数。

5.一种MOS器件的STI应力效应建模装置，其特征在于，包括：

第一模块、第二模块、第三模块及第四模块；

所述第一模块用于在BSIM4的模型参数中引入影响MOS器件的STI应力效应的温度参数，建立所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数；

所述第二模块用于根据无STI应力时的MOS器件的输出特性以及转移特性，提取常温状态下MOS器件的模型参数Model1；

所述第三模块用于以模型参数Model1为基础，提取常温状态下STI应力对MOS器件性能影响的参数，提取后的模型参数标记为Model2；

所述第四模块用于以模型参数Model2为基础，提取非常温状态下所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数。

6.如权利要求5所述的MOS器件的STI应力效应建模装置，其特征在于，所述第三模块包括：

第一获取单元、第一提取单元及标记单元；

所述第一获取单元用于获取不同的源端有源区宽度及漏端有源区宽度的MOS器件的输出特性以及转移特性；

所述第一提取单元用于根据获取的所述MOS器件的输出特性、转移特性及模型参数Model1，提取常温状态下STI应力对MOS器件性能影响的参数；

所述标记单元用于将提取后的模型参数标记为Model2。

7.如权利要求5所述的MOS器件的STI应力效应建模装置，其特征在于，所述第四模块包括：

第二获取单元及第二提取单元；

所述第二获取单元用于获取非常温状态下不同的源端有源区宽度及漏端有源区宽度的MOS器件的输出特性以及转移特性；

所述第二提取单元用于根据获取的所述MOS器件的输出特性、转移特性及模型参数Model2，提取所述MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数中所述MOS器件的拟合参数kua1和kub1，获得最终模型参数。