[发明专利]外延片在审
| 申请号： | 201310523009.6 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794642A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 姜石民 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 | ||
1.一种外延片，包括：
衬底；以及
设置在所述衬底上的外延结构，
其中，所述外延结构包括：
第一外延层；
设置在所述第一外延层上的第二外延层；以及
设置在所述第一外延层与所述第二外延层之间的第三外延层，所述第三外延层在与所述第一外延层邻近的第一边界的周围具有第一掺杂浓度，并且在与所述第二外延层邻近的第二边界的周围具有不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的外延片，其中所述第一外延层的组成与所述第二外延层的组成相同。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中所述第一外延层设置在所述衬底与所述第二外延层之间，以便抑制在向所述外延片施加电压时诱发的漏电流。
4.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中所述第一外延层设置在所述衬底与所述第二外延层之间，使得所述衬底与所述第二外延层之间的晶格失配减小，由此减少所述第二外延层的表面缺陷。
5.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中所述第三外延层的所述第一边界与所述第二边界之间的内掺杂浓度在从所述第一边界朝着所述第二边界的方向上，从所述第一掺杂浓度增加或减少至所述第二掺杂浓度。
6.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中所述第二外延层具有0.5/cm2或更小的表面缺陷密度。
7.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中所述衬底和所述外延结构中每一个包括碳化硅。
8.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中掺杂有n-型掺杂物的所述第一外延层和所述第二外延层中每一个包括碳氮化硅（SiCN）。
9.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中掺杂有p-型掺杂物的所述第一外延层和所述第二外延层中每一个包括铝碳化硅（AlSiC）。
10.根据权利要求1和2中任一项所述的外延片，其中所述第一外延片具有1.0μm或更小的厚度。
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