[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201310367326.3 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103794574B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 吉崎茂雄;谷泽秀和;田中敦彦;小林涉;酒井纮平 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂 半导体装置 岛部 上层 下层 金属制基板 热硬化反应 热硬化 引线框 制造 半导体元件 电气绝缘性 彼此面对 树脂材料 边部 流出 配置 | ||
本发明提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有:金属制基板(12);位于金属制基板(12)上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂(15s);位于下层树脂(15s)上并进行热硬化而成的上层树脂(16s);位于上层树脂(16s)上,并具有彼此相邻的岛部(30a、30b)的引线框(18);以及配置于岛部(30)上的半导体元件(22)。在下层树脂(15s)的热硬化反应完成后,上层树脂(16s)的热硬化反应完成。而且,上层树脂(16s)的一部分进入除去岛部(30a、30b)的上层树脂(16s)侧的部分中彼此面对的相对边部(32a、32b)而成的除去空间(S)内。
技术领域
本发明涉及对半导体元件模塑成型而成的半导体装置及其制造方法。
背景技术
在金属制基板上依次配置电气绝缘性的树脂层、引线框、半导体元件并模塑成型而成的半导体装置正在被广泛使用。在该半导体装置中,在使用时半导体元件的发热从金属制基板释放到外部。
以往,在制造这样的半导体装置时,在金属制基板上层状地配置热硬化性的电气绝缘性的树脂材料配置,进而配置引线框,并对未硬化的树脂材料进行加热压接而使其热硬化,形成与金属制基板一体化的树脂层(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2004-165281号公报
然而,在引线框上形成有多个岛部,以配置半导体元件等。而且,为了使半导体装置小型化,大多数情况下岛部以彼此相邻的方式形成。
但是,当将引线框向树脂材料上按压并进行加热压接时,树脂材料容易从相邻的岛部之间的间隙突出而上升。其结果是,在进行树脂密封时,突出并上升的树脂材料向周围流出,可能会阻碍半导体元件与密封树脂之间的密着性、或者引线框与密封树脂之间的密接性。
发明内容
本发明正是鉴于上述课题而完成的,其课题在于提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置能够防止在制造半导体装置时,树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙中不必要地从间隔空间的上端突出而向周围流出。
为了解决上述课题,本发明的半导体装置的特征在于,其具有:金属制基板;电气绝缘性的下层树脂,其位于所述金属制基板上,且通过进行热硬化而成;上层树脂,其位于所述下层树脂上,且通过进行热硬化而成;引线框,其位于所述上层树脂上,且具有彼此相邻的岛部;以及半导体元件,其配置于所述岛部上,在完成所述下层树脂的热硬化反应后,完成所述上层树脂的热硬化反应,所述岛部的上层树脂侧的部分中彼此面对的相对边部被设为除去了至少一部分的形状,所述上层树脂的一部分进入到通过该除去而形成的除去空间内。
此外,本发明的半导体装置的制造方法是制造第1方面所述的半导体装置的半导体装置的制造方法,其特征在于包括:第1工序,制造在所述金属制基板上形成所述下层树脂和未硬化上层树脂而成的中间体,其中,该未硬化上层树脂形成于所述下层树脂上,且该未硬化上层树脂是所述上层树脂的形成材料;以及第2工序,将搭载了所述半导体元件的所述引线框载置于所述中间体的所述未硬化上层树脂上并进行按压,由此使所述未硬化上层树脂流入到所述除去空间内。
根据本发明,能够提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置能够在制造半导体装置时,防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。
附图说明
图1是本发明一个实施方式的半导体装置的侧面剖视图。
图2的(a)~(c)分别是本发明一个实施方式中说明半导体装置的制造方法的每个工序的侧面剖视图。
图3的(a)和(b)分别是本发明一个实施方式中说明半导体装置的制造方法的每个工序的侧面剖视图。
图4是示出本发明一个实施方式的半导体装置的变形例的侧面剖视图。
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