[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具有：

金属制基板；

电气绝缘性的下层树脂，其位于所述金属制基板上，且通过进行热硬化而成；

上层树脂，其位于所述下层树脂上，且通过进行热硬化而成；

引线框，其位于所述上层树脂上，且具有彼此相邻的岛部；以及

半导体元件，其配置于所述岛部上，

在完成了所述下层树脂的热硬化反应后，完成了所述上层树脂的热硬化反应，

所述岛部的上层树脂侧的部分中彼此面对的相对边部被设为除去了至少一部分的形状，所述上层树脂的一部分进入到通过该除去而形成的除去空间内，

彼此相邻的所述岛部之间的距离在所述岛部的厚度的0.6倍～2.0倍的范围内，

所述相对边部被设为C面状或R面状，

所述被设为C面状或R面状的部分的厚度是所述引线框的厚度的一半以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

与所述除去空间的上侧连通的所述岛部之间的间隔空间被所述上层树脂填充。

3.一种半导体装置的制造方法，制造权利要求1所述的半导体装置，该制造方法的特征在于包括：

第1工序，制造中间体，该中间体是在所述金属制基板上形成所述下层树脂和未硬化上层树脂而成的，其中，该未硬化上层树脂形成于所述下层树脂上，且该未硬化上层树脂是所述上层树脂的形成材料；以及

第2工序，将搭载了所述半导体元件的所述引线框载置于所述中间体的所述未硬化上层树脂上而进行按压，由此使所述未硬化上层树脂流入到所述除去空间内。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第2工序后，在模塑成型时，使所述未硬化上层树脂完全地热硬化而成为所述上层树脂。