[发明专利]避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管显示设备领域，特别是涉及一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法。

背景技术

有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode；OLED）显示装置具有自发光、低耗电以及广视角的优点，因此被视为未来极具发展潜力的显示设备。

请参阅图1及图2，图1为现有技术中有机发光二极管显示装置部份元件布局的上视图，图2为图1沿着线段AA’的剖面图。

制造所述有机发光二极管显示装置的过程是先在一基板（未图示）上制造若干个薄膜晶体管以作为开关元件，然后再制造有机发光二极管作为发光元件。

制造薄膜晶体管及有机发光二极管的主要步骤包括：首先在所述基板（未图示）上形成一闸极层（未图示）及一半导体层（未图示），接着形成一无机层100，然后在所述无机层100上形成一金属层，所述金属层包括金属线路102、104，分别用于传送独立的信号，亦即用于传送不同的信号，接着在所述金属线路102、104上形成一有机层106，然后在所述有机层106上形成一氧化铟锡层（Indium Tin Oxide；ITO）108，所述氧化铟锡层108用于作为有机发光二极管的阳极，接着于所述氧化铟锡层108上形成一发光层（未图示）以及一阴极（未图示）。

然而，在上述有机发光二极管显示装置的制造过程中，沉积完所述氧化铟锡层108并在所述氧化铟锡层108形成一光阻层（未图示）之后，由于所述有机层106的厚度太厚，在执行曝光步骤时，所述氧化铟锡层108的底部会被所述有机层106的顶部遮住而照不到光线，亦即所述有机层106会产生阴影效应，因此执行蚀刻步骤再去除所述光阻层（未图示）之后，会如图2所示，造成所述氧化铟锡层108的残留，进而导致图1的金属线路102、104短路。

因此需要对现有技术中氧化铟锡层108的残留导致金属线路102、104短路的问题提出解决方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法，其能解决现有技术中氧化铟锡层的残留导致金属线路短路的问题。

为解决上述问题，本发明提供的一种避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法包括：

在一基板上形成一无机层；

在所述无机层上形成一金属层，所述金属层包括两条金属线路；

在所述金属层的所述两条金属线路上形成一有机层；

在所述有机层上形成一氧化铟锡层；

涂布一光阻层；

以一光罩对所述光阻层进行曝光，所述光罩对应所述两条金属线路之间的位置具有一透光区域，所述透光区域内设置一不透光材，所述不透光材的宽度小于所述光罩的所述透光区域的宽度；

对所述光阻层进行显影；以及

蚀刻以移除所述氧化铟锡层以及所述有机层的一部分。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，在蚀刻以移除所述氧化铟锡层以及所述有机层的所述部分的步骤之后包括：

剥离所述光阻层的剩余部分。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述不透光材的宽度为小于2微米。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述不透光材的宽度为1微米至2微米。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述两条金属线路作为源极。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述两条金属线路作为汲极。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述有机层至少覆盖所述两条金属线路的一部分。

在本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法中，所述两条金属线路以湿蚀刻方法形成。

相较于现有技术，本发明的避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法通过设置不透光材，且所述不透光材的宽度小于所述光罩的所述透光区域的宽度，使得进行蚀刻步骤时能降低所述有机层的厚度，因此所述氧化铟锡层能完全被蚀刻而不会残留，进而能避免所述两条金属线路之间发生短路的情况。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为现有技术中有机发光二极管显示装置部份元件布局的上视图；

图2为图1沿着线段AA’的剖面图；