[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 201310346534.5 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN104051374A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 青木秀夫;松浦永悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/427;H01L23/58 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
相关申请
本申请以日本专利申请2013-52803号(申请日:2013年3月15日)为基础,并享受其优先权。本申请通过参照该在先申请而包含其全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体存储装置。
背景技术
在半导体存储装置中,为了实现小型化和/或高密度安装,将多个半导体存储器芯片和控制存储器芯片的控制器芯片层叠在1个封装内密封。此外,近些年,以进一步小型化和/或高密度安装为目的,提出了将层叠半导体芯片并密封的封装和密封了控制器芯片的封装层叠的所谓POP(层叠封装)。
在这种半导体存储装置中,一般地,为了与主机进行通信,将控制器配置在布线基板之上。然后,在该控制器之上层叠有半导体存储器芯片。但是,伴随控制器的性能的提高(特别是工作频率的增大),控制器的消耗电力也增大。其结果,在控制器中的发热不能忽视。因此,寻求能够有效地对在控制器中产生的热进行散热的半导体存储装置。
发明内容
本发明的实施方式的目的在于提供能够有效地对在控制器中产生的热进行散热的半导体存储装置。
本发明的实施方式所涉及的半导体存储装置包括:半导体存储器以及配置在半导体存储器之上的控制半导体存储器的控制器。
附图说明
图1是实施方式所涉及的半导体存储装置的构成图。
图2是实施方式所涉及的半导体存储装置的剖面图。
图3是表示实施方式所涉及的半导体存储装置的连接关系的示意图。
图4是表示实施方式所涉及的半导体存储装置的连接关系的示意图。
图5是实施方式的变形例所涉及的半导体存储装置的构成图。
图6是实施方式的变形例所涉及的半导体存储装置的剖面图。
符号说明
100:半导体存储装置;110:布线基板;120A~120E:半导体封装;130:散热板;140:热管;150:温度传感器;160:电源元件;170:无源元件;200:半导体存储装置;210:布线基板;220A~220E:半导体芯片;230:密封树脂。
具体实施方式
以下参照附图详细说明实施方式。
实施方式
图1是实施方式所涉及的半导体存储装置100的构成图(俯视图)。如图1所示,半导体存储装置100包括:布线基板110、半导体封装120A~120E、散热板130、热管140、温度传感器150、电源元件160和无源元件170。
布线基板110例如是母板或子板。布线基板110例如是在使环氧树脂浸在玻璃纤维中的环氧玻璃纤维板上形成布线的布线基板。半导体封装120A~120E在布线基板110之上以同一顺序层叠。另外,如图1所示,在半导体封装120A~120D的顶面涂敷粘贴高热传导树脂E(例如,硅热传导油脂)和/或薄膜。在半导体封装120A~120D内密封了1个或者多个半导体存储器芯片。半导体存储器芯片例如是NAND型闪存。
半导体封装120E层叠在半导体封装120D之上。在半导体封装120E内密封了控制半导体封装120A~120D的控制器芯片。即,半导体存储装置100具有在半导体存储器芯片之上层叠控制器芯片的结构。另外,关于半导体封装120A~120E的层叠结构,参照图2以后说明。
半导体封装120E内的控制器芯片根据来自未图示的主机的控制信号,进行对半导体封装120A~120D内的半导体存储器芯片的数据写入、读出、消除等。此外,半导体封装120E根据从以后说明的温度传感器150输出的温度来控制工作。具体地,当从温度传感器150输出的温度超过指定值(阈值)时,降低工作速度或者停止工作。
散热板130是散热片。散热板130使用热传导性优异的金属(例如,铜(Cu)和/或铝(Al)和/或镍(Ni)等)。散热板130被配置在半导体封装120E之上。此外,也可以在散热片与半导体封装120E之间涂敷粘贴高热传导树脂(例如,硅热传导油脂)和/或薄膜。另外,散热板130的大小只要与控制器芯片同等或稍大即可,在半导体封装120E顶面的散热板130以外的部分,可以配置温度传感器150、电源元件160、无源元件170。
热管140以与散热板130热接触的状态配置在散热板130之上。热管140与未图示的热沉、翅片等热交换器连接。因此,经由散热板130和热管140,在半导体封装120A~120E上产生的热向电子设备的外部散热。
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