[发明专利]COB封装LED光源及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成半导体照明元器件，尤其涉及一种COB封装LED光源及其制作方法。

背景技术

LED（Light Emitting Diode），是一种发光的半导体元件，由于其可控性好，结构简单，体积小巧，色彩纯正、丰富，耐冲击，耐振动，响应时间快等特点，被公认是21世纪最具发展前景的高技术产品之一，在引发照明革命的同时，也为推动节能减排、环境保护做出重大贡献。

COB是Chip On Boarding（板上芯片直装）的英文缩写，是一种通过粘胶剂或焊料将LED芯片直接粘贴到PCB（Printed Circuit Board）板上，再通过引线键合实现芯片与PCB板间电互连的封装技术。COB技术主要用于大功率多芯片阵列的LED封装，同SMT（Surface Mounted Technology表面贴装技术）相比，不仅大大提高了封装功率密度，而且降低了封装热阻。

在业内已公知的技术中，基于铝、氧化铝、氮化铝等衬底的COB封装技术已被半导体照明业界所广为采用。然而，不管是铝衬底等金属衬底，还是氧化铝、氮化铝等陶瓷衬底，采用COB封装工艺制作的LED光源，都存在产品发光角度及范围较小的问题，一般发光角度局限在120度或更小角度内，产品应用受到很大限制。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种COB封装LED光源及其制作方法，与现有技术相比，本发明增大了光源的发光角度。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种COB封装LED光源，包括衬底、电极、LED芯片和荧光胶；所述电极设置在该衬底上；所述LED芯片设置在衬底正面，所述LED芯片与所述电极电性连接；所述荧光胶覆盖所述LED芯片；其中，所述衬底是透明衬底，该透明衬底的散热性能良好。

优选的，所述透明衬底的透光率大于或等于30%。

优选的，所述透明明衬底散热性能良好具体是，所述透明衬底的导热系数大于或等于10W/mk。

优选的，所述透光衬底为蓝宝石衬底或透明氧化铝陶瓷衬底。

优选的，所述荧光胶纵剖面的顶部为凸状弧形结构。

优选的，当采用正装结构连接所述LED芯片时，所述LED芯片与所述电极电性连接的方式为，采用导电引线将所述LED芯片的电极与电极的对应部分进行电性连接，以形成电气回路。

优选的，所述LED芯片设置在衬底正面的方式是，所述LED芯片背面通过固晶胶粘结在衬底正面。

优选的，当采用倒装结构连接所述LED芯片时，所述LED芯片与所述电极电性连接的方式为，所述LED芯片焊接在衬底正面对应的电极部分，使所述LED芯片的电极与衬底正面的电极的对应部分进行电性连接，以形成电气回路。

优选的，该LED光源还包括，设置在衬底侧端面上的荧光胶。

优选的，该LED光源还包括，设置在荧光胶边缘的透光围坝。

优选的，其特征在于，所述电极材料为银、铜或金。

一种COB封装LED光源的制作方法，包括：在衬底用基片的正面切割出槽形切口；在所述衬底用基片上形成电极；将LED芯片电性连接到所述电极上；用荧光胶对所述LED芯片进行封胶；将所述衬底用基片沿所述槽形切口切割开，得到多个LED光源。

优选的，所述在衬底用基片的正面切割出槽形切口的切割方法是激光切割或刀具切割。

优选的，所述衬底用基片上形成电极采用的工艺是丝网印刷工艺。

优选的，所述衬底用基片上形成电极的方法包括：采用溅射或蒸镀工艺在透光衬底上形成金属层；采用光刻工艺在所述金属层表面上形成具有电极图形的光刻胶层；采用干法刻蚀或湿法腐蚀工艺，去除未被所述光刻胶层覆盖的金属层材料，得到金属电极。

优选的，当采用倒装结构连接所述LED芯片时，所述将LED芯片电性连接到所述电极上的方式为，将所述LED芯片的电极焊接至电极的对应部分。

优选的，当采用正装结构连接所述LED芯片时，所述将LED芯片电性连接到所述电极上的方式为，将所述LED芯片的电极通过导电引线电性连接至电极的对应部分。

优选的，当采用正装结构连接所述LED芯片时，还包括：将所述LED芯片背面用固晶胶粘接在所述衬底用基片上。

优选的，所述用荧光胶对所述LED芯片进行封胶的过程包括：采用荧光胶覆盖所述LED芯片表面；对所述LED光源进行烘烤，以硬化荧光胶。